WWW.KONFERENCIYA.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Конференции, лекции

 

Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |

«Л-ФАРАБИ атындаы АЗА ЛТТЫ УНИВЕРСИТЕТІ КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени АЛЬ-ФАРАБИ ХАБАРШЫСЫ ВЕСТНИК ФИЗИКА СЕРИЯСЫ СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ АЛМАТЫ № 3 (30) 2009 Л-ФАРАБИ атындаы АЗА ...»

-- [ Страница 1 ] --

ISSN 1563-034X

Индекс 75877

Индекс 25877

Л-ФАРАБИ атындаы АЗА ЛТТЫ УНИВЕРСИТЕТІ

КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени АЛЬ-ФАРАБИ

ХАБАРШЫСЫ

ВЕСТНИК

ФИЗИКА СЕРИЯСЫ СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ

АЛМАТЫ № 3 (30) 2009 Л-ФАРАБИ атындаы

АЗА ЛТТЫ УНИВЕРСИТЕТІ

КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

имени АЛЬ-ФАРАБИ азУ ХАБАРШЫСЫ Физика сериясы Р А Академигі Ш.Ш. Срсембиновті еске алуа арналан «Конденцияланан кй физикасы, нанотехнология жне наноматериалды азіргі кездегі проблемалары» (Срсембиновты оылымы) атты халыаралы ылыми конференциясыны ебектер жинаы №3 (30) ВЕСТНИК КазНУ Серия физическая Сборник трудов международной научной конференции "Современные проблемы физики конденсированного состояния, нанотехнологий и наноматериалов", посвященной памяти Академика НАН РК Сарсембинова Ш. Ш.

(Сарсембиновские чтения) Алматы ISSN 1563-034X Индекс Индекс Л-ФАРАБИ атындаы КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ

АЗА ЛТТЫ УНИВЕРСИТЕТІ УНИВЕРСИТЕТ

имени АЛЬ-ФАРАБИ _ азУ ВЕСТНИК ХАБАРШЫСЫ КазНУ

ФИЗИКА СЕРИЯСЫ СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ

АЛМАТЫ № 3 (30) Зарегистрирован в Министерстве культуры, информации и общественного согласия Республики Казахстан, свидетельство № 956 – Ж от 25.11.1999 г.

(Время и номер первичной постановки на учет № 766 от 22.01.1992 г.) Редакционная коллегия:

Главный редактор - Аскарова А.С.

Научный редактор - Рамазанов Т.С.

Абдильдин М.М., Абишев М.Е., Архипов Ю.В., Баимбетов Ф.Б., Жанабаев З.Ж., Коробова Н.Е., Лаврищев О.А., Оскомов В.В.

Иманбаева А.К. (ответственный секретарь) Выходит 4 раза в год © Издательство «аза университеті»,

МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ

"СОВРЕМЕННЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ,

НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ",

ПОСВЯЩЕННАЯ ПАМЯТИ АКАДЕМИКА НАН РК

САРСЕМБИНОВА ШАМШИ ШАРИПОВИЧА

(САРСЕМБИНОВСКИЕ ЧТЕНИЯ)

18-19 мая 2009 года состоялась конференция, посвященная памяти академика НАН РК Сарсембинова Ш.Ш., (Сарсембиновские чтения) «Современные проблемы физики конденсированного состояния, нанотехнологий и наноматериалов». Организаторами конференции являются физический факультет Казахского национального университета им аль-Фараби, НИИ экспериментальной и теоретической физики, Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа.

Программа конференции представлена следующими основными направлениями в области актуальных проблем физики конденсированного состояния:

• процессы структурообразования;

• структурно-фазовые превращения;

• электронные процессы;

• стимулированные процессы;

• нанотехнологии;

• наноматериалы.

Тематика конференции выбрана не случайно, она определена кругом проблем, которые отражены в проектах программ фундаментальных исследований, которыми в течение многих лет руководил академик Шамши Шарипович Сарсембинов. Эти программы финансировались Министерством образования и наук

и Республики Казахстан, к ним относятся: «Неравновесные процессы и структурно-фазовые превращения в конденсированных средах» (1997-1999 гг.), “Электронные процессы и структурно-фазовые превращения в конденсированных средах и разработка рекомендаций для получения материалов с заданными свойствами” (2000-2002 гг.), «Процессы дефектообразования и структурно-фазовые превращения в конденсированных средах и разработка научных рекомендаций для получения материалов с заданными свойствами» (2003-2005 гг.). В выполнении работ по этим научно-исследовательским программам принимали участие ученые КазНУ им. аль-Фараби, КарГУ им. Е.А. Букетова, КазНПУ им. Абая, КазНТУ им.

К.И. Сатпаева.

Академик Ш.Ш. Сарсембинов является основателем нового научного направления в физике полупроводников, в рамках которого исследуются энергетические спектры электронов, изучаются электронные процессы и структурно-фазовые превращения в конденсированных средах с неупорядоченной структурой. Данное направление связано с решением фундаментальной проблемы управления электронными свойствами материалов с неупорядоченной структурой. Впервые были проведены систематические и комплексные исследования влияния быстрых электронов на электронные свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников, обнаружены радиационные эффекты в этих материалах, приводящие к значительным изменениям электрофизических, оптических и фотоэлектрических свойств, что, позволило создать основу радиационного управления электронными свойствами халькогенидных стеклообразных полупроводников. Параллельно проводились исследования явлений, возникающие на контакте металл-полупроводник с неупорядоченной структурой. В результате этих исследований обнаружены и изучены такие явления, как стимулированные электронным облучением эффекты реверсивного изменения оптических и физико-химических свойств, эффект быстрой диффузии металлов в некристаллический полупроводник. Впервые обнаружены эффекты усиления и гашения фотопроводимости, возникающие при двухволновом возбуждении. На основе этих эффектов разработан новый метод определения важных параметров некристаллических полупроводников - длины диффузии и подвижности носителей заряда. Новизна подтверждена авторским свидетельством. Кроме того, обнаружена и изучена биполярная фотопроводимость в некристаллических полупроводниках, существенно изменившая наше представление о процессе переноса носителей заряда в условиях отсутствия дальнего порядка в строении вещества.



К наиболее важным результатам научной деятельности Сарсембинова Ш.Ш. можно отнести и создание принципиально новой технологии получения двухслойных полупроводниковых систем, обладающих спектральной памятью фотопроводимости, перспективные в оптоэлектронике в качестве цветоуправляемых элементов (новизна также подтверждена авторским свидетельством). Впервые на основе гетероструктуры монокристаллический кремний - модифицированный некристаллический полупроводник создан фотодиод со спектральной чувствительностью в ближней инфракрасной (ИК) области спектра, который в отличие от аналогов, не требует охлаждения (новизна подтверждена авторским свидетельством).

Шамши Шарипович в последние годы занимался подготовкой республиканской программы по развитию нанонауки и нанотехнологий в Республике Казахстан и организацией нанотехнологической лаборатории в КазНУ. В 2008 г. стал первым директором Национальной нанотехнологической лаборатории открытого типа.

На конференцию было представлено свыше 50-ти заявок с докладами из различных городов Республики Казахстан и стран дальнего и ближнего зарубежья. В работе конференции приняли участие ведущие ученые и специалисты в области физики конденсированного состояния. На открытии конференции с приветственным словом к участникам конференции обратились Первый проректор КазНУ им. аль-Фараби, профессор Мансуров З.А., декан физического факультета, профессор Аскарова А.С., академик НАН РК Мукашев Б.Н., академик МАН ВШ Купчишин А.И.

Участники конференции «Сарсембиновские чтения»

На пленарном заседании конференции были заслушаны следующие доклады по наиболее актуальным проблемам в области нанонауки и нанотехнологий:

• «Technical Hurdles of Commercializing Carbon Nanotubes and Graphenes», докладчик Гари Билл, директор центра нанофазных исследований университета Сан Маркос, • «Измерительный комплекс для элементного анализа с нанометровым разрешением по глубине», докладчик Комаров Ф.Ф., д.ф.-м.н., проф, чл.-корр. БАН, Белорусский государственный университет, г.Минск, • «Релаксационные колебания суперлюминесценции в полупроводнике», докладчики Кумеков С.Е., д.ф.-м.н., проф, зав. кафедрой общей и теоретической физики.

КазНТУ им. К.И. Сатпаева. г.Алматы, • «Макро- и наномасштабные запоминающие системы на основе стимул чувствительных полимеров», докладчик Мун Г.А., д.х.н., проф. химический факультет. КазНУ аль-Фараби. г.Алматы с соавторами.

Кроме того, на секционных заседаниях были представлены интересные доклады по различным направлениям и проблемам в области физики конденсированного состояния.

Лучшие доклады, отмеченные программным комитетом конференции, опубликованы в настоящем журнале.

АКАДЕМИК

АРДАТАУ ТУРАЛЫ

балалы жне жасты шаын Талдыоран аласыны маындаы Елтай жне азіргі Балпы би ауылдарында ткізеді. Сол жерде орта мектепті здік тамамдап, 1962 жылы С.М. Киров атындаы (азіргі л-Фараби атындаы) аза мемлекеттік университетіні физика факультетіне абылданады. Келесі жылды кзінде сол кездегі тртіп бойынша ол кптеген жастармен бірге Кеес скеріні атарына шаырылады. скери міндетін жас Шмші Солтстік жне Балты теіздерінде скери-теіз флотыны кемелерінде абыроймен теп, екі жылдан кейін сйікті университетіне айта оралып, жаадан ашылан атты денелер физикасы кафедрасыны рамында білімін жаластырады. Сол кездегі оны ылыми жетекшісі осы кафедраны тыш мегерушісі, кезінде Германияда лемге йгілі К.Рентгенні ылыми мектебінен тлім алан, академик А.Ф.Иоффемен бірге істеген академик М.И.Корсунский болып еді. Шмшіні лкен физикалы ылыма араласуы да сол кезден басталды. 1969 ж. университетті здік бітірген Шмші Шріплы физика факультетіні деканы профессор С. Исатаевты араласуымен жне тікелей олдауымен Ленинград аласына, сол А.Ф. Иоффе атындаы йгілі Физика-техникалы институтты аспирантурасына жолдама алады. СРО Мемлекеттік сыйлыыны екі дркін лауреаты профессор Б.Т.Коломийцті жетекшілігімен жргізген зерттеу жмыстары Шмші Шріплына 1973ж. осы Институтта физика-математика ылымдарыны кандидаты ылыми дрежесін орауа ммкіндік туызады. Содан бері ол зі бітірген университетте ассисент, аа оытушы, доцент болып ызмет істейді. 1974 ж. Шмші Шріплы кезінде зі тамамдаан атты денелер физикасы кафедрасыны мегерушісі болып таайындалады.

Материалды базасы аза ССР ылым академиясыны Ядролы физика институтыны бір зертханасы дегейінде рылан кафедраны факультетке кшіру, кафедрадаы оу рдісін жаадан йымдастыру, оны оу-ылыми базасын техникалы жаа лгілермен жабдытау, ылыми зерттеулер мен ізденістер жргізу, лемдік дегейдегі ылыми конференциялара атынасып, ызыты баяндамалар жасау, осыны брі Шмшіні есімін баршаа паш етуге жне 1983ж. оан Леиниградты М.И.Калинин атындаы Политехникалы институтыны диссертациялы кеесіні отырысында физика-математика ылымдарыны докторы ылыми дрежесін алуа арналан диссертация орауа негіз болды. Келесі жылы оан профессор лауазымы беріледі жне ол физика факультетіні деканы болып сайланады. 1991-94 жылдар арасында осы университетті проректоры, 1995ж. Р А-ны мше-корреспонденті, ж. – академигі болып сайланады.





Сол аралытар Ш.Ш. Срсембинов шін айрыша ымбат кезедер еді. ылымдаы адамны ауруы да, емі де-зі тадап алан ылымы. Бкіл саналы мырын ылыма арнаан Шке ту басынан жасы ортаа, жаны жайса жандара кез болды, негесінен йренді, шапаатына бленді, небір ыйын кезедерде олдау тауып, іс-рекетіне демеу тапты. Ке парасатты, кемел ойлы азаматтарды ылыма деген адалды асиеттерін бойына тере сііре білді. Заман азып, за згеріп, былмалы мір жыл сайын аумалы-ткпелі кезеді ткеріп жатан кездері де ол зіне тн абзалды пен дархандытан бір сйем ауытымай, асып тасымады, жылаанды жбатып, кйзелгенді демеумен болды. Мансапорлы, дрекілік, оспадарлы, менмендік секілді оаш ылытарды барлыы Шке шін млдем жат дние еді. Ол ешашанда олында бар жалыз баалы дние-ылымды саудаа салуды, бастыа жаымпаздануды білмеді, тіпті іздемеді де. Шке шін е ымбат нрсе-тірді сыйа берген жасампазды талантын одан рмен дамыту жне оны жарырата отырып, шапаатын баса жрта да жеткізу, зі шыан биікке згелерді шыару. Бар байлы пен баыт сонда деп санаан Шмші Шріплын дниені таршылыы мен тапшылыы, трмысты иындыы оамны, сйікті ылымны ажетіне жарау масатынан ешашанда жаылта алмады, кісілікті трінен, білімні биігінен, ылымны шыынан кріне білді, нтижесінде ебегі елеулі, атаы атулы болып, зі физика ылымыны ар-ожданына айналды. Оны жетекшілігімен кафедраны базасы ныайып, ылыми-зерттеу жмыстары жан-жаты олдау тауып, халыаралы атынастары кеейіп, лемге танымал болды жне университет рамындаы е мыты, алдыы атардаы кафедраа айналды. Кафедраа алыс шет елдерден (АШ, Жапония, Германия) кптеген танымал алымдарыны келіп студенттерге дріс оуы, кафедраны мамандарыны зі де алыс-жаын шет елдерге сол масатпен атынасуы жиі-жиі орын ала бастады. Шмші Шріплыны зі де бірнеше рет АШ, Германия, Франция, Жапония, Корея секілді ркениетті елді студенттері мен алымдарыны алдында талай дріс берді. Шкені жетекшілімен кптеген ылым кандидаттары мен докторлары дайындалып, зі здіксіз жетекшілік еткен 34 жыл ішінде 700ден астам студенттер кафедраны баыты бойынша білікті маман болып шыты. Оларды арасынан шыан ылым кандидаттары мен докторларыны здері бір тбе. азастан жоары оу орындары оыту жйесіні жаа баытына кшкен кезде, алашыларды бірі болып магистрлер мен PhD-докторларды дайындап, мірге жолдама берген де Шке еді.

рине, Шмші Шріплыны ылыми баыттарын естелік ретінде дайындалан ыса маалада саралап тіп, жан-жаты тере баа беру ммкін емес. Академик Ш.Ш.

Срсембиновты 1994 ж. Р А жариялаан суперидеялар конкурсына атынасып, лауреат атананын, ылымды дамытуда осан айрыша лесі шін алымдара берілетін Мемлекеттік стипендияны иегері болуын, Еуропалы халыаралы «INTAS» ылыми орыны штаттаы сарапшысы (эксперт) боланын, Р Жоары аттестациялау Комиссиясы физика жне энергетика саласы бойынша ран ылыми кеесті траасы болып істегенін, Р Білім жне ылым министрлігі іргелі ылымдар саласы бойынша жарияланан конкурста «Конденсірлі орталарда орын алатын рылымды-фазалы трлендірулер мен алыпты емес процесстер», «асиеттері алдын-ала таайындалан материалдарды ндіру дістері», «Жартылай ткізгіштердегі радиациялы аауларды туындау физикасы жне рылымдыфазалы згерістер» жне т.б. кптеген ылыми жобаларды орындалып, физика ылымыны ркендеуіне айрыша лес осуын, 300-ге жуы ылыми ебектеріні, кптеген ірі-ірі монографиялар мен оулытарды жары круін, 4 ылым докторыны, 13 ылым кандидаттарыны дайындалуын айтса да жеткілікті. Артында алан біз бгіндері Шкені жетекшілігімен орындалан аталмыш жмыстарды орындалуында аздаан болса да лесімізді бар екенін матан етеміз.

Мені пайымдауымша, ылыма келген жастар Шкені жй білгіш адам емес, немі ізденіп, оып, оыанын бойына сііріп, мият жинатап, жинатааннан міндетті трде бір нтижеге ол жеткізетін білімпаз, дана, ірі маман-алым ретінде танитын. Табиат сыйлаан оны аса сезімталдыы, нзік тсінгіштігі, алуан сырлы таланты, жан слулыы, иман жзділігі, осыны барлыы – алыпты айратын сыйызан Шкені тла бойыннан андай жадайда болмасын, немі байалып тратын айрыша йлесімділікті белгілері еді.

Шкені сырт келбетіні з-тнып тран жне ркімде кездесе бермейтін ажайып этика мен эстетика болатын. Оларды сипаттап беруді зі талай уаытты ажет етеді. міріні соы кндері ол зара арама-айшы екі сезімні шаында жретін: біреуі міт пен кдік, екіншісі – аиат пен жалан. Солай бола тра, ол ешашанда зіні мддесі шін шындыты аттап ияната бармаушы еді. Тбінде мітті аталып, аиатты йтеуір бір жеетіне сенімді болатын. Кейде «Аиат жесе де, мірден тіліп барып жееді, біра тбінде бір жееді»- деп отыратын. Оны себебін Шкемен бірге жрген ізбасар серіктері ана жасы тсінетін. Бгін сол аяулы Азаматты бл жалан дниеден озанына бір жыл толуына байланысты арманда кеткен масатын айтпаса болмас деп ойлаймын. кімет тарапынан ылым жне техника саласы бойынша Мемлекеттік сыйлыты лауреаты атаын алу шін 2007ж. жарияланан конкурса атысу масатымен ызу жмысты бастап кеткен Шкені міті зор еді. Оан жан-жатан келген, алыс жне жаын шет елдерден лемге танымал алымдарды жіберген олдау пікірлері айа болатын. Біра л-Фараби атындаы аза лтты университетіні сол кездегі басшысы Т..-мырза, алдын-ала берген зіні екі бірдей удесіне опасызды жасап, Шкенен дайындап отыран жобасын сынбауды талап етті.

Бны себебін сол конкурса зіні атынасатындыымен жне оны жобасы ркімні олы жете бермейтін прменді бір тладан олдау тауып отыранымен тсіндірді. «Топаы мыты болса, киіз азы жерге кіреді»-демекші, «мыты» азаты тегеурініне арсылы крсетуді зіне ар санаан Ш.Ш. Срсембинов, іштей анша иналса да, кейін шегінуге мжбр болды. Ал «мыты топаты» сол жолы рекетінен ештее шыпаанынан лаы трік ылыми жртшылы толы хабардар болса керек. Осындайда бір данышпанны «Жоалтуа болмайтын, жоалтса айтып оралмайтын ят деген айрыша бір ндылы бар жне жер басып жру шін де, тіпті крде тыныш жату шін де ят ажет» - деген сиет сздері амалсыз ойа оралады.

кінішке орай, мітіні аталып, кдігіні сейіліп, аиатты тбінде бір жеетініне кзі жете алмай, сондай асыл Азамат небрі жарты жылдан кейін, 64 жасында бл опасыз дниемен хош айтысты. рине, лмеу олдан келмейді, ол-Жаратушыны ісі, біра артында лмейтін дние алдыру-біреу болмаса біреуді олынан келеді. йткені лы адамда бір ана масат бар, ол-лгеннен кейін де мір сру. Шмші Шріплы да сондайларды атарына жатады. Бгіндері сол мітін, сол кдігін Шке артындаы сіздер мен біздерге аманат етіп алдыран секілді болады да трады. Сондытан Шкені есімі л-Фараби атындаы университетті, сіресе, осы университетті физика факультетіні тарихында алтын ріптермен жазылуы тиіс. Соны белгісі ретінде мен Университет басшылыыны жне ылым сйер ауымны назарына тмендегі шараларды жзеге асыруды сыным келеді:

1. Республикалы тыш нанотехнология зертханасыны ашылуына айрыша ебек сіірген, оан міріні соы кндеріне дейін жетекшілік жасап келген Шкені есімі осы лабораторияа берілсе;

2. Физика факультеті имаратыны жне тран йіні сыртына, крнекі жерге Шкені суреті, аты-жні жазылан тата орнатылса;

3. аршадайынан, яни мектептен кейінгі саналы міріні барлыы байланысты болан Физика факультетіні бір аудиториясы арнайы жндеу-жабдытау жмыстарынан ткізіліп, оан да Шкені есімі берілсе;

4. азаты е ірі білім жне ылым ордасы болып саналатын л-Фараби атындаы университетке зіні рметті Азаматы шін арнайы 3 (ш) стипендия таайындау оны бюджетіне айтарлытай нсан келтіре оймас деп ойлаймын. Сол стипендияны біреуі Шке 34 жыл бойы здіксіз басарып келген кафедраны соы курстаы здік студентіне, екіншісі – магистрантына, шіншісі – докторантына жыл сайын жаадан ткізілетін конкурсты жеімпазы ретінде салтантты трде тапсырылатын болса;

5. Шкені есімін еске алу масатымен факультет жымы жыл сайын мектеп оушылары мен студенттер арасында «Жас физиктер мектебі» жне екі жылда бір рет «Сарсембинов оулары» таырыбындаы ылыми конференцияларды ткізуді дстрге айналдырса жне білім мен ылымды дамытуда маызы зор осы шараа Сіздер мен біздер ешбір алтысыз атынасатын болса – нр стіне нр, ал Шкені аруаы сте разы болар еді. Егер тсіне білсек, мны зі білім мен ылымды ардатаушы жастар шін лкен бір анибет, талымды маызы зор мселеге ауысары Осы сыныстар туралы л-Фараби атындаы университетті азіргі басшылыы хабардар боланына біраз уаыт ткенімен, атарылып жатан жмыстар кіл толытырарлытай емес. зірге зі трбиелеген кафедра мшелеріні жне факультет жымыны кшімен Шкее арналан тыш халыаралы ылыми конференция ана йымдастырылды.

Абай атындаы азПУ-ні тыш рметті кафедра мегерушісі, Еуропа жаратылыстану ылымдары академиясыны академигі, физика-математика ылымдарыны докторы, профессор.М. Машев

РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В УГЛЕРОДНЫХ НАНОСТРУКТУРАХ

Казахский национальный университет им. аль-Фараби, НИИЭТФ, Алматы Проведено конструирование нанотубулярных элементов, содержащих радиационные дефекты структуры и определены энергетические и структурные характеристики нескольких возможных конфигураций дефектов, обеспечивающих жесткую связь между ними. Показано, что радиационное воздействие может индуцировать возникновение особого типа радиационных дефектов – мостиковых конфигураций, создающих прочные связи между нанотубулярными элементами. Этот эффект может быть использован в различных нанотехнологиях. Например, при создании легких и прочных композитных материалов, на основе матрицы из сплавов легких металлов и жестких нанотубулярных включений.

Введение В настоящее время большое внимание физиков и технологов привлекает перспектива создания композитных материалов на основе сплавов легких металлов (Al, Mg, Be) с включениями из углеродных нанотубулярных элементов, которыми могут быть нанотрубки (многослойные и однослойные), фуллерены, фрагменты графена. Такие материалы способны обладать уникально высоким отношением прочность / удельный вес, устойчивостью против образования и роста трещин [1-5]. Определенные сложности на этом пути связаны с особенностями электронной структуры sp2 углеродных нанотубулярных элементов, которая не обеспечивает достаточно сильную связь между поверхностями нанотрубок и атомами матрицы, а также между отдельными упрочняющими наноэлементами [6,7], из-за чего возможны различные эффекты проскальзывания нанотрубок, снижающие предельно возможные значения прочности композита. В этой связи перспективным представляется использование предварительного радиационного воздействия на материал, с целью упрочнения кластерных конфигураций за счет образования в зоне радиационных дефектов жестких поперечных связей между нанотубулярными элементами композита. В настоящей работе проведено конструирование нанотубулярных элементов, содержащих радиационные дефекты структуры и определены энергетические и структурные характеристики нескольких возможных конфигураций дефектов, обеспечивающих жесткую связь между ними.

Компьютерное моделирование и расчеты Расчеты энергетических и структурных характеристик радиационных дефектов проводились методом МО ЛКАО ССП. После моделирования структуры определенного углеродного нанотубулярного элемента, создавался кластер. В простейшем случае кластер состоял из двух элементов, что просто уменьшало затраты компьютерного времени и облегчало проведение компьютерного эксперимента. В работе представлены результаты расчетов двойных кластеров, состоящих из фуллеренов, нанотрубок, графеновых фрагментов. Далее, моделировалось радиационное воздействие на кластер, в результате которого в составляющих элементах возникали одиночные вакансии, а между ними был локализован выбитый из структуры атом. Точная конфигурация таких мостиковых связей определялась с помощью процедуры минимизации энергии конфигурации.

На рисунке 1 показана типичная конфигурация кластера из двух параллельных нанотрубок (6,6), содержащих в своей структуре одиночные вакансии. Трубки ориентированы таким образом, что вакансии располагаются в непосредственной близости одна от другой. Конструировалась конфигурация устойчивого комплексного радиационного дефекта, включающего две вакансии, связанные через внедренный атом. Для минимизированной конфигурации дефекта расчет дал значение 3.9 эв на каждую связь мостика. Это достаточно высокое значение, если учесть, что в чистой структуре sp2 на связь приходится 5.4 эв.

Рис.1. Радиационно-индуцированная «мостиковая связь» между нанотрубками (атомная структура) Рис.2. Распределение электронного заряда в конфигурации (при плотности заряда 1 el/A3) На рисунке 2 представлено распределение электронного заряда в модельной системе при плотности 1 el/A3. Очевидно, что мостиковая связь обеспечивается высоким уровнем электронной плотности, соразмерным уровню заряда в структуре нанотрубок. На рисунке показана геометрическая конфигурация возникшей мостиковой связи. Угол между связями «мостика», соединяющего нанотрубки, составляет 109.6 о.

На рисунке 4 показана модельная рассчитанная конфигурация кластера с мостиковой связью из двух фуллеренов С60. Оба фуллерена в зонах соприкосновения имеют вакансии в структуре и выбитый атом локализованный между ними. Для минимизированной конфигурации дефекта расчет дал значение Е = -3.6 эв на каждую связь мостика.

Кратчайшее расстояние между фуллеренами составляет 3.8 А. Энергия связи мостиковой конфигурации Е = -3.63 эв на каждую связь мостика. На рисунке 5 показано распределение электронного заряда в конфигурации. Видно, что плотность заряда в области мостиковой связи соизмерима с плотностью заряда в структуре фуллеренов.

Рис. 5. Распределение электронного заряда при плотности 0.40 el/A На рисунке 6 показана мостиковая связь между графеновыми фрагментами. Расстояние между графенами уменьшается до 3 А, что меньше значения 3.4 А, соответствующего равновесному расстоянию между ними, обусловленному силами ван дер Ваальса. Видно, что после релаксации зоны вакансии плоская структура графена деформируется и атомы, граничащие с вакансией, и расположенные рядом с мостиковой связью, входят в пространство между графенами и сближаются до расстояния 1.43 А, которое очень близко к 1.42 А, характерному для структуры sp2. Суммарная энергия связи, обеспечиваемая мостиковым дефектом и двумя дефектными конфигурациями между атомами 1-2 и 3- составила 11.2 эв.

В результате возникает распределение электронного заряда, показанное на рисунке 7.

Оно подтверждает возникновение дополнительных электронных связей в зоне радиационного дефекта.

Рис. 6. Атомная структура после релаксации зоны Рис.7. Распределение электронного заряда после Заключение Таким образом, в данной работе показано, что радиационное воздействие (например, облучение ионами или быстрыми электронами) может индуцировать возникновение особого типа радиационных дефектов – мостиковых конфигураций, создающих прочные связи между нанотубулярными элементами – УНТ, фуллеренами, графенами. Этот эффект может быть использован в различных нанотехнологиях. Например, при создании легких и прочных композитных материалов, на основе матрицы из сплавов легких металлов и жестких нанотубулярных включений.

1. Харрис П.Углеродные нанотрубы и родственные структуры. М., Техносфера, 2003.с.

2. Пул Ч, Оуэнс Ф. Нанотехнологии.М., Техносфера, 2007.-374 с.

3. Рит М. Наноконструирование в науке и технике. М-И, 2005.-160 с.

4. Fyta M.G. and Kelires P.C. Simulations of composite carbon films with nanotube inclusions // Appl.Phys.Lett.-2005.-V.86.-P. 5. Yanagi H., Kawai Y., Kita T. et al. Carbon nanotube/ Aluminum composites as a novel field electron emitter // Jpn.J.Appl.Phys.- 2006.-V.45.-P.L650-L653.

6. Mao Z., Garg A., Sinnot S. Molecular dynamics simulations of the filling and decorating of carbon nanotubules // Nanotechnology.-1999.-10.-P.273-277.

7. Bagci V.M.K., Gulseren O. et al. Metal nanoring and tube formation on carbon nanotubes // Phys.Rev.B.-2002.-66.-

class='zagtext'> КМІРТЕКТІ НАНОРЫЛЫМДАРДАЫ РАДИАЦИЯЛЫ ЭФФЕКТІЛЕР

рамында радиациялы ааулы рылымы бар нанотубулярлы элементке рылымдау жргізілді жне бірнеше ммкін болатын, оларды арасындаы берік байланысты жзеге асыратын ааулар конфигурацияларыны энергетикалы жне рылымды сипаттамалары аныталды.

Радиациялы серлесу, нанотубулярлы элементтерді арасындаы берік байланысты жзеге асыратын, радиациялы аауды ерекше трі – кпірлік конфигурацияны пайда болуына ыпал ететіндігі крсетілді. Бл эффект ртрлі нанотехнологияларда олданылуы ммкін. Мысалы, атты нанотубулярлы осынды мен жеіл металлдар орытпасынан матрицалы негізде, жеіл жне берік композитті материалдар алу.

RADIATIONS EFFECTS IN CARBON NANOSTRUCTURES

It was made the formation of nanotubular elements, containing the radiation structure defects and was determined the energetic and structure characteristics of some possible defects configurations, which provide the rigid bond between them. It was shown that radiation influence can induce the appearance of particular kind of radiation defects – bridge configurations, which create the strong bonds between nanotubular elements. This effect can be used in various nanotechnologies. For example, creation of light and durable composit materials on the base of matrix from light metal alloys and rigid nanotubular insertions.

ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННУЮ

ЗЕРНОГРАНИЧНУЮ СЕГРЕГАЦИЮ В ТРОЙНЫХ Fe-Cr-Ni СПЛАВАХ

Предложена модель для расчета радиационной зернограничной сегрегации в тройных сплавах, обусловленной потоками вакансий и междоузельных атомов из объема зерна к границе. Влияние температуры выражается в ускорении диффузионных процессов с ее ростом. Максимально эффект сегрегации проявляется при температурах ~900 К. Полученные результаты удовлетворительно согласуются с имеющимися экспериментальными данными.

Радиационно-индуцированная сегрегация в металлах и сплавах представляет собой неравновесный контролируемый диффузией процесс, который в значительной мере определяет поведение облучаемых материалов, особенно в условиях градиентов температур, характерных для работы ядерных реакторов. Это обусловлено тем, что локальные изменения композиционного состава материала приводят к изменению его механических свойств, и, как следствие, могут вызвать процесс разрушения материала.

Под действием нейтронного облучения в металлах и сплавах образуется значительное количество радиационных точечных дефектов – вакансий и междоузельных атомов, существенно превышающее их равновесные концентрации. При температурах ~ 0.3-0.5 от температуры плавления эти дефекты подвижны и перемещаются по кристаллу. В результате миграции точечных дефектов по кристаллу они поглощаются стоками точечных дефектов, которыми являются свободные поверхности, границы зерен, дислокации, и другие протяженные дефекты кристаллов. В однородных металлах сегрегация обусловлена наличием в них примеси, а в случае сплавов, кроме сегрегации примесей, возникает локальное перераспределение основных легирующих элементов. Это явление наблюдается в том случае, когда атомы одного из компонентов имеют преимущественную связь с потоками точечных дефектов определенного типа и вместе с ним мигрируют к стоку.

Величина зерноганичной сегрегации в сплавах определяется потоками вакансий и междоузельных атомов из объема зерна к границе, которые, в свою очередь, определяют потоки атомов каждого компонента[1,2]. Схематически данный процесс изображен на рис. 1.

Рис. 1. Схематическое представление расЗдесь J - поток типа, ( = A, B, С соответствует сматриваемых в модели процессов, опредеатомам A,B,С; = i – междоузлиям, = v – ляющих величину зернограничной сегрегации - концентрации, d – парциальные коэффициенты диффузии (диффузии атомов за счет точечных дефектов типа ), N - атомные доли типа, - средний атомный объем сплава, – термодинамический коэффициент.

Эволюция распределения атомов и дефектов во времени и пространстве в данном случае будет описываться системой связанных дифференциальных уравнений в частных производных (с соответствующими начальными и граничными условиями):

Здесь К0 – скорость образования точечных дефектов, R – скорость их взаимной рекомбинации, а k2 мощность стоков элементов внутренней дефектной структуры. Для пор k = 4rh h, и для дислокаций k = Z d, где h и d – плотности пор и дислокаций в материале, rh – средний размер пор. Величина, характеризующая эффективность взаимодействия точечного дефекта типа с дислокацией Z равна где µ – модуль сдвига, – коэффициент Пуассона, V - релаксационный объем, Rd – среднее расстояние между дислокациями, k – постоянная Больцмана, Т – температура. Уравнение для элемента С опущено, т. к. CA + CB + CC = 1.

Для решения системы уравнений (1-4) используются численные методы с соответствующими начальными и граничными условиями. В начальный момент времени компоненты распределены однородно по кристаллу в соответствии с их стехиометрическим составом. На границе зерна (при x=0) задана термодинамически равновесная концентрация вакансий и междоузельных атомов; в теле зерна их концентрации определяются интенсивностью облучения К0. В силу симметричности задачи вычисления проведены для одной половины зерна. Граничное условие на поверхности зерна для концентрации элементов A, B задается условием сохранения:

где = A, B, а Cо - первоначально однородная концентрация элемента. В центре зерна (при x = d /2), градиенты концентраций были установлены равными нулю:

Интенсивность образования точечных дефектов К0 пространственно однородна.

Параметры, характеризующие свойства вакансий и междоузлий, условия облучения и коэффициенты диффузии взяты из работ [3,4], характеристики материала, для которого выполнены расчеты – из работы [5].

Сегрегация легирующих компонентов сплава проявляется в том случае, когда один из них диффундирует преимущественно по вакансионному либо по междоузельному механизму. Поскольку выражения для потоков атомов записаны через парциальные коэффициенты диффузии, это позволило учесть различие в механизмах диффузии:

вакансионному или междоузельному.

С использованием предложенной модели были исследованы зависимости зернограничной сегрегации элементов от температуры (рис. 2) и дозы облучения (рис. 3).

Рис. 2. Зависимость величины зернограничной концентрации Cr (а, б), Ni (в, г) и Fe (д, е) от температуры облучения при постоянной концентрации Cr (20 ат.%) и различной концентрации Ni (доза 1 сна) Рис. 3. Зависимость зернограничной концентрации Cr (а, б), Ni (в, г) и Fe (д, е) от дозы облучения при постоянной концентрации Cr (20 ат.%) и различной концентрации Ni (Т = 673К) Результаты расчетов показывают, что использованная модель адекватно отражает поведение как временной, так и температурной зависимостей радиационной сегрегации [4]:

уменьшение интенсивности при одновременном увеличении величины эффекта, как при увеличении температуры, так и с увеличением времени испытаний, т. е. дозы облучения.

Анализ полученных данных свидетельствует о том, что во всех исследованных случаях на границах зерен происходит обеднение Cr (как самого быстрого диффузора) и обогащение Ni (как самого медленного); обогащение или обеднение границы атомами Fe зависит от коэффициента диффузии Fe относительно среднего коэффициента диффузии в сплаве. Если коэффициент диффузии Fe больше, чем средний коэффициент диффузии в сплаве, граница обедняется Fe, если меньше – обогащается. Увеличение объемной концентрации Ni от 5 до 30 ат.% усиливает эффект сегрегации всех компонентов в 1.5 – 6 раз. Максимальная сегрегация наблюдается при температурах ~900К. Результаты показали, что с ростом как интенсивности, так и дозы облучения степень сегрегации возрастает и распространяется на все большие расстояния от границ зерен, однако наиболее ярко изменение зернрограничной концентрации проявляется в интервале доз 0.1 1 сна; при дозах порядка ~5 сна процесс практически стабилизируется.

Литература 1. Wiedersich H., Okamoto P.R., Lam N.Q. A theory of radiation-induced segregation in concentrated alloys. Journal of Nuclear Materials.- 1979.- V. 83.- P. 98.

2. Ганеев Г.З., Карпиков А.Н., Туркебаев Т.Э. Учет дефектной структуры материала при расчетах радиационной зернограничной сегрегации. Вестник НЯЦ РК.- 2006.- Вып. 1.- С.

26-29.

3. Бокштейн Б.С. Диффузия в металлах. М. – Металлургия.- 1978.- 248 с.

4. Allen T.R., Busby J.T., Was G.S., Kenik E.A. On the mechanism of radiation-induced segregation in austenitic Fe-Cr-Ni alloys. Journal of Nuclear Materials. 1998. - V. 255. – P. 44-58.

5. Фрост Г. Дж., Эшби М. Ф. Карты механизмов деформации. Пер. с англ. Берштейна Л. М. Челябинск: Металлургия. Челябинское отделение. – 1989.- 328 с.

Fe-Cr-Ni ШТІК ОРЫТПАДА РАДИАЦИЯЛЫ ИНДУКЦИЯЛАНАН ТЙІРШІК

ШЕКАРАЛЫ СЕГРЕГАЦИЯА ТЕМПЕРАТУРАНЫ ЫПАЛЫ

штік орытпада, шекара тйіршігі клемінен шыан бос орындар мен тйінаралы атомдар аыны себепші болан, радиациялы тйіршік шекаралы сегрегацияны есептеу шін модель сынылан. Температураны ыпалы, ол скен сайык, диффузиялы процестерді дей тсуінен білінеді. Сегрегация эффектісі температура ~900К боланда меймінше кп байалады. Алынан нтижелер олда бар эксперименттік деректермен анааттанарлытай йлеседі.

INFLUENCE OF TEMPERATURE ON RADIATION-INDUCED GRAIN BOUNDARY

The model for calculation radiation-induced grain boundary segregation in the ternary alloys, caused by fluxes of vacancies and interstitials from volume of grain to boundary is presented. Influence of temperature is expressed in acceleration diffusion processes with its growth. Maximum effect of segregation is shown at temperatures ~900 K. The received results will well be coordinated to available experimental data.

БУРНОЕ РАЗВИТИЕ ФОТОВОЛЬТАИКИ В ГОДЫ ГЛОБАЛЬНОГО

ЭКОНОМИЧЕСКОГО КРИЗИСА

Т.И. Таурбаев, Е.А. Сванбаев, Г.К. Мусабек, Ш.Б. Байганатова, К.К. Диханбаев, НИИЭТФ, Казахский национальный университет им. аль-Фараби, г. Алматы Мировой экономический кризис 2007 -2009 гг. коснулся многих отраслей производства. Но в отраслях, связанных с фотовольтаическим производством, именно в эти годы, вместо спада произошел небывалый подъем, на 85%. Это связано с тем, что инвестиции, не находящие приложения в обваливающихся отраслях промышленности, «перетекают» в перспективные направления, связанные с наукоемкими направлениями возобновляемой энергетики.

Первые симптомы начала мирового экономического кризиса стали проявляться в конце 2007 г., а особенно сильно кризис разразился в 2008-2009 гг. Во многих отраслях стал наблюдаться заметный спад многих видов производства. Так по данным Фонда экономических исследований «Центр Развития» в январе – феврале 2009 г. наибольший спад – на уровне почти 50% - наблюдался в производстве электрооборудования. На 30–35% сократился выпуск в металлургии, производстве стройматериалов, производстве химической продукции, обработке древесины и производстве транспортных средств (при этом производство легковых автомобилей обвалилось на 75%). В меньшей степени кризисное падение затронуло добычу полезных ископаемых, нефтепереработку, электроэнергетику и пищевую промышленность. Здесь снижение составило в среднем около 5%. Данная картина наиболее наглядно представлена на рис.1.

Машиностроение Химия стройматериалы металлургия добыча электроэнергетика Рис. 1. Спад объемов производства в 2009 году в процентах к 2007 году В то же время фотовольтаическую индустрию мировой финансовый кризис не коснулся, а, наоборот, в эти годы фотовольтаика продолжила свое бурное развитие. В году производство солнечных элементов по сравнению с 2006 годом возросло на 69% и составило 4,279 ГВт, а в 2008 году прирост производства составил 85% по отношению к предыдущему году, что эквивалентно 7,910 ГВт [1]. Конечно, нельзя говорить что финансовый кризис не затронул эту индустрию вовсе, компании производящие солнечные элементы, также были вынуждены прибегать к принятию антикризисных мер, например, таких как снижение цен на готовую продукцию, за счет сокращения рабочих мест и других мер. Наиболее сильно кризис почувствовали производители из развитых стран, таких как Япония, США, Германия и другие страны Евросоюза тогда как азиатский рынок фотовольтаики сильно не пострадал, а напротив, например Китай, даже существенно нарастил мощности производства солнечных элементов и модулей, и в 2007 и 2008 гг.

оказался на первом месте по их производству во всем мире. Динамика роста производства солнечных элементов с 1999 г. по 2008 г. представлена на рисунке 2.

Рис. 2. Динамика роста производства солнечных элементов в МВт установленной мощности На рисунке 3 представлена десятка лидирующих стран производителей солнечных элементов и модулей. До 2007 года основным производителем фотовольтаической продукции являлась Япония, долгое время производившая почти половину всего мирового производства солнечной индустрии. В 2007 году на первое место вышел, как уже говорилось, Китай, не сдавший этой позиции и в 2008 году. На втором и третьем местах в 2008 г. расположились Германия и Япония соответственно.

Остальная Азия 6,8%; Рис. 3. Десятка лидирующих стран производителей солнечных элементов и модулей В настоящее время на рынке фотовольтаической продукции идет жесткая конкуренция среди фирм - производителей и рейтинги компаний постоянно меняются. На рисунке показана десятка лидирующих компаний производителей солнечных элементов и модулей.

Рис. 4. Десятка лидирующих компаний - производителей солнечных элементов и модулей На первом месте уже второй год подряд германская компания «Q-Cells CE». Второе и третье места заняли Китайские компании «First Solar» и «Suntech», Японский гигант «Sharp», занимавший в 2007 году второе место, в 2008 году удалился на четвертое.

В текущем году ожидается производство солнечных элементов и модулей на общую мощность 14,7 ГВт, т.е. увеличение производства должно составить 86% по отношению к прошлому году.

В связи с ростом населения и развитием цивилизации в мире потребность электроэнергии возрастает и фотовольтаика является одним из экологически чистых мобильных источников энергии. Этим, видимо, и объясняется рост объемов производства этой индустрии. Экологическая чистота же делает фотовольтаику привлекательной для государственных инвестиций, целью которых является получение энергии и решение проблемы экологической безопасности.

Для производства солнечных элементов и модулей мощностью 1 ГВт необходимо тонн кремния солнечного качества. В основном, почти 98%, солнечные элементы и модули изготавливаются из кремния различной модификации. Нехватка кремния является сдерживающим фактором для этого производства. Поэтому перед производителями солнечных элементов и модулей стоят задачи по созданию материалосберегающих технологий, которые позволят изготавливать СЭ и модули на более тонких кремниевых носителях.

В связи с проблемами глобального потепления земной атмосферы правительствами многих стран приняты постановления, стимулирующие развитие возобновляемых источников энергии. Например, в Германии если 1 кВт*час электроэнергии, получаемой от традиционных источников энергии, стоит 0,23 Евро, то за тот же 1 кВт*час электроэнергии, полученной с помощью возобновляемых источников энергии, производители получают 0, Евро от государства.

Большая часть территории Казахстана по климатическим и природным условиям является очень благоприятным местом для развития фотовольтаики. И многие населенные пункты, как и многие предприятия Казахстана, нуждаются в дополнительной электроэнергии. Развитие солнечной энергетики становится все более актуальным и для Казахстана, тем более что в Казахстане началось производство кремния технического качества. В настоящее время суммарные мощности по выработке электроэнергии в Казахстане составляют около 10 ГВт. Если, следуя развитым странам, ставить задачу выработки 10 – 30% электроэнергии к 2030 году за счет фотопреобразователей, то это составит 1 - 3 ГВт. Чтобы 1 - 3 ГВт солнечных батарей произвести за 20 лет годовое производство должно составлять около 50 – 150 МВт в год. Таковы мощности, которые должны быть ориентированы только на внутренний рынок. Если ориентироваться на внешний рынок, то производственные мощности могут быть многократно увеличены.

Литература 1. www.photon_international.com

ДНИЕ ЖЗІЛІК ДАДАРЫС КЕЗІНДЕГІ ФОТОВОЛЬТАИКАНЫ

АРЫНДЫ ДАМУЫ

Т.И. Тауырбаев, Е.А. Сванбаев, Г.К. Мсабек, Ш.Б. Байанатова, К.К. Диханбаев, 2007 - 2009 жылдардаы дние жзілік дадарыс ндірістерді кбін таырауа шыратты.

Біра фотовольтаика бл жылдарда керісінше ркендеп, 85%-а дейін сті. Бндай згерістер тсіп жатан ндірістерде орын табалмай жатан инвестициялар келешегі зор таусылмайтын фотоэнергетика салаларын дамытуа ауысып жатканымен байланысты.

RAPID DEVELOPMENT OF PHOTOVOLTAIC IN DAYS OF THE GLOBAL

ECONOMIC CRISIS

T.I. Taurbayev, E.A. Svanbaev, G.K. Mussabek, Sh.B. Baiganatova, K.K. Dikhanbaev, The world economic crisis of 2007-2009 has concerned many branches of manufacture. But the branches connected with photovoltaic instead of recession demonstrated an unknown increase on about 85 % these years. It is related with that the investments which are not finding the appendices in falling off industries, "flow" in the perspective directions connected with the high technology directions of renewed power.

НОВЫЕ СХЕМЫ АХРОМАТИЧЕСКИХСТАТИЧЕСКИХ МАСС-СПЕКТРОМЕТРОВ

О.А. Байсанов, Г.А Доскеев1, И.Ф. Спивак-Лавров Военный институт Сил воздушной обороны, г. Актобе Актюбинский государственный университет им. К. Жубанова, г. Актобе Предложены и рассчитаны новые схемы статических секторных масс-спектрометров, в которых для ахроматизации используются нетрадиционные электростатические системы, состоящие из электростатической призмы и трансаксиальной линзы.

В работах [1, 2] исследовались корпускулярно-оптические свойства ахроматического масс-спектрометра, в котором в комбинации с секторным однородным магнитным полем используется иммерсионная электростатическая призма с тремя электродами и иммерсионная рассеивающая трансаксиальная линза, расположенная непосредственно перед входом в магнитное поле (рис. 1).

Рис. 1. Принципиальная схема масс-спектрометра с электростатической призмой, трансаксиальной линзой и Выходящий из точки A ионного источника 1 расходящийся пучок ионов сначала ускоряется в V1 V0 раз, преломляясь на границе электродов 2, 3, а потом два раза замедляется сначала до потенциала V2 на границе электродов 3, 4 и затем до потенциала V на границе электродов 4, 5 рассеивающей иммерсионной линзы. Отметим, что электрод является общим электродом призмы и линзы, но для облегчения юстировки он может быть разделен на два электрода. После прохождения электростатической системы ионный пучок попадает в секторное однородное магнитное поле 6, фокусирующее его в щель 7 приемника ионов.

Электростатическая призма полностью задается следующими параметрами: углом i падения осевой траектории пучка на эффективную преломляющую грань призмы, отношением потенциалов 1 и 2, расстоянием lи от источника ионов до призмы и размером призмы re. Нами были выбраны следующие значения этих параметров: i = 75, lи = 1,60, le = 0,156, Re = re = 1,0, и значение r0 радиуса кривизны траектории в магнитном поле.

Путем математического и компьютерного моделирования были вычислены характеристики электростатической системы а также и масс-спектрометра в целом. При этом было получено следующее значение преломляющего угла призмы j = e= 12,47. Остальные рассчитанные параметры масс-спектрометра приведены в таблице 1. Рассматривались варианты масс-спектрометра с косым входом и выходом пучка в магнитном поле. Углы входа и выхода и 2 удовлетворяют условию 1 = 2 = [3]. Для этих вариантов масс-спектрометра подбирались параметры электростатической системы и секторного магнита, при которых выполняется фокусировка по направлению и по энергии.

Таблица 1 – Рассчитанные параметры ахроматических масс-спектрометров В таблице 1 используются следующие обозначения: e – угловое увеличение электростатической системы, De – угловая дисперсия электростатической системы, Н – секторный угол магнита, Н – угол поворота в магните, L – расстояние от трансаксиальной линзы до магнита, ld – длина выходного плеча секторного магнита, Dm – линейная дисперсия по массе, увеличение масс-спектрометра, s k – длина осевой ионной траектории от щели источника ионов до щели детектора масс-спектрометра.

Все рассчитанные масс-спектрометры имеют одинаковое значение параметра K = m, равное 2,836, поэтому эффективность рассмотренных вариантов целесообразно определять по величине s k. Из данных таблицы 1 видно, что параметр s k, определяющий габариты масс-спектрометра, увеличивается при положительных и уменьшается при отрицательных.

В таблице 1 приведены два варианта масс-спектрометра с одинаковым значением = 15, отличающиеся отношением потенциалов 2. При увеличении отношения ахроматизация достигается при меньших размерах магнита, определяемых углом Н, правда при этом несколько растут габариты прибора.

Согласно расчетам рассмотренный масс спектрометр обладает достаточно высокими характеристиками и лишь немного уступает по разрешению одному из лучших современных секторных масс-спектрометров [4]. Однако предложенный нами масс-спектрометр имеет по сравнению с [4] более простую конструкцию и меньшие габариты. Дальнейшее совершенствование этого масс-спектрометра затруднено, так как небольшая дисперсия по энергии электростатической системы не позволяет получить ахроматизацию при больших секторных углах магнита Н, что ограничивает дисперсию по массе Dm, а следовательно и разрешение прибора.

Для преодоления этого недостатка в схему масс-спектрометра вводится дополнительный электростатический выходной каскад, тоже состоящий из иммерсионной трехэлектродной призмы и трансаксиальной линзы. Этот выходной каскад трансформирует изображение щели источника ионов на щель приемника ионов. Пучок ионов поступает в него после того, как в секторном магните сформировано промежуточное изображение щели источника ионов. В этом промежуточном фокусе осуществляется лишь частичная фокусировка по энергии. Полная пространственная и энергетическая фокусировка пучка ионов достигается только после прохождения выходного каскада.

В промежуточном фокусе при отсутствии ахроматичности может быть получено очень высокое значение параметра «качество» за счет большого углового увеличения и следовательно малого линейного увеличения промежуточного изображения. После прохождения выходного каскада «качество» несколько уменьшится, но зато может быть достигнуто высокое качество фокусировки по энергии.

Так как в предлагаемом масс-спектрометре имеется промежуточный действительный фокус, то для достижения ахроматичности выходной каскад должен поворачивать пучок в ту же сторону, что и секторный магнит. Принципиальная схема этого масс-спектрометра изображена на рис. 2.

Рис. 2. Схематическое изображение масс-спектрометра Выходящий из точки A щели ионного источника 1 расходящийся пучок ионов сначала ускоряется, преломляясь на границе электродов 2, 3, а потом замедляется сначала на границе электродов 3, 4 и затем на границе электродов 4, 5 рассеивающей иммерсионной линзы до потенциала входного электрода 2. При этом образуется мнимое изображение щели источника А. После прохождения электростатической системы ионный пучок попадает в секторное однородное магнитное поле 6, которое формирует промежуточное изображение щели источника А. После этого пучок попадает в электростатический выходной каскад, где он сначала ускоряется на границе электродов 7, 8, а затем замедляется на границе электродов 8, 9 и 9, 10 до потенциала на входе в масс-спектрометр. Собирающая трансаксиальная линза фокусирует пучок в щель 11 приемника ионов.

Предложенная схема должна обладать преимуществами по сравнению с массспектрометром [4], так как выходной электростатический каскад на основе электростатической призмы, увеличивая дисперсию по энергии, позволяет к тому же использовать широкие пучки ионов, не вызывая дополнительных аберраций.

Литература 1. Baisanov O.A, Doskeev G.A, Spivak-Lavrov I.F. Calculation of Mass-Spectrometer with Sector Magnet, Electrostatic Prism and Transaxial Lens // 7-th Int. Conf. on Charged Particle Optics, Trinity College, Cambridge, England. Abstracts 24-28 July 2006. – P. 108-109.

2. Байсанов О.А., Доскеев Г.А., Спивак-Лавров И.Ф. Математическое моделирование траекторий заряженных частиц в электрических и магнитных полях со средней плоскостью // Материалы III Международной научно-методической конференции «Математическое моделирование и информационные технологии в образовании и науке», КазНПУ. – Алматы, 2005. – С. 39-42.

3. Кельман В.М., Родникова И. В., Секунова Л.М. Статические масс-спектрометры. – Алма-Ата: Наука, 1985. – 263 с.

4. Ishihara M., Kammei Y., Matsuda H. A high-perfomance mass spectrometer for very small size // Nucl. Instr. & Meth. In Phys. Res. – 1995. – Vol. 363, Nos. 1, 2. – P.440-444.

АХРОМАТТЫ СТАТИКАЛЫ МАСС-СПЕКТРОМЕТРЛЕРДІ

ЖАА СХЕМАЛАРЫ

Статикалы секторлы масс-спектрометрлерді жаа схемалары есептелген жне сынылан, оны ішінде ахроматизация алу шін электростатикалы призма жне трансаксиалды линзадан крастырылан брын олданылмаан электростатикалы жйелер пайдалынады.

NEW SCHEMES AHROMATIC STATIC MASS-SPECTROMETERS

Here offered and calculated new schemes of the sector mass-spectrometers, in which for focusing on energy are used unusual electrostatic systems, consisting of electrostatic prism and transaxial of the lens.

ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНО-ФАЗОВЫХ ПРЕВРАЩЕНИЙ В

ТВЕРДООКСИДНЫХ ПРОТОННЫХ ПРОВОДНИКАХ

НА ОСНОВЕ ЦЕРАТОВ БАРИЯ И СТРОНЦИЯ

К.К. Мунасбаева, Ж.Р. Жотабаев, И.В. Хромушин, Т.И. Аксенова, Институт ядерной физики Национальный ядерный центр, г. Алматы Было исследовано влияние различных факторов на структуру и свойства цератов бария и стронция. Установлено, что допированные цераты бария и стронция характеризуются высокой структурно-фазовой стабильностью в широком диапазоне температур и парциальных давлений. В тоже время недопированные металлооксиды, особенно керамические, претерпевают фазовые превращения, которые сопровождаются изменением типа симметрии решетки и выделением кислорода, воды и диоксида углерода. Реакторное облучение вызывает значительные изменения структуры только при облучении при высоких температурах, низкотемпературное облучение на реакторе не приводит к драматичным изменениям цератов.

Введение. Сложные оксиды со структурой перовскита привлекают особое внимание в последние два десятилетия своими уникальными свойствами, которые проявляются на материалах давно известных и, казалось бы, достаточно хорошо изученных. Обнаружено, что при определенном модифицировании анионной либо катионной подрешеток данные композиты проявляют различные физические свойства:

• высокотемпературная сверхпроводимость [1];

• колоссальное магнетосопротивление[2];

• высокотемпературная протонная проводимость [3].

С химической точки зрения, рассматриваемые материалы могут быть описаны одной структурной формулой АВО3. Кроме того, они имеют ряд общих характеристик таких, как наличие в своем составе катионов переходных элементов с переменной валентностью (Cu, Mn, Ce), и вариации стехиометрии, как по катионам, так и по кислороду. Эти вариации могут приводить либо к плавному (количественному) изменению физических характеристик, либо к резким радикальным изменениям свойств. Предполагается, что во многих случаях изменения физических свойств можно связать с поведением катионов в позиции В и прежде всего с изменением их зарядового состояния. Изменение зарядового состояния может быть достигнуто различными путями: либо через изменение состава в катионной позиции А (манганиты), либо путем воздействия на анионный компонент - кислородную подрешетку ВТСП материалы), либо прямой химической заменой катиона в позиции В (протонные проводники) [4]. Благодаря широкому спектру физических свойств, присущих перовскитам, они представляют большой интерес, как с научной, так и с практической точки зрения и активно исследуются в последние годы.

В данной работе рассмотрены перовскитоподобные оксиды, обладающие свойством высокотемпературной протонной проводимости. Интерес к данным материалам обусловлен их особой активностью в отношении водорода и широким спектром возможного практического применения: водородные датчики, водородные насосы и электролизеры, химические реакторы, топливные элементы, разделение изотопов водорода, а также технологии утилизации трития [5-6]. Особенно следует отметить перспективность использования данных материалов в качестве мембран топливных элементов для водородной энергетики, которая в настоящее время является одним из приоритетных направлений в развитии энергетики будущего. Также необходимо подчеркнуть особую роль данных материалов в решении проблем водородобезопасности в атомной энергетике.

Поскольку протонная проводимость представляет собой процесс, связанный с переносом ионов (протонов) в кристаллической решетке, естественно предположить, что она должна зависеть от кристаллической структуры композита. Перовскиты согласно данным рентгеноструктурного анализа кристаллизуются в высокотемпературную кубическую модификацию с симметрией Pm3 m и низкотемпературную орторомбическую с симметрией Pmcn [7]. Однако такая идеальная структура реализуется достаточно редко; кроме того, в процессе взаимодействия перовскитов с газовой средой (водородосодержащая атмосфера или водородное топливо) существует вероятность трансформации структуры и изменения транспортных свойств. Поэтому актуальной является задача исследования структурнофазовой стабильности перовскитных протонных проводников при внешних воздействиях – газовая среда, радиационное воздействие.

В данной работе представлены результаты исследования окислительновосстановительных условий отжига, степени катионного допирования, а также реакторного облучения на структурно-фазовую стабильность высокотемпературных протонных проводников.

Методика эксперимента и объекты исследования. Исследования выполнены с использованием методов термодесорбционной спектроскопии, инфракрасной спектроскопии и рентгеноструктурного анализа.

В качестве объектов исследования использовали твердооксидные протонные проводники на основе цератов бария BaCeO3 и стронция SrCeO3, чистые и допированные низковалентными катионами Nd 3+ и Y 3+. Низковалентное допирование используется для создания в решетке протонных проводников кислородных вакансий, которые способствуют в дальнейшем растворению воды и интеркаляции протонов в решетку в виде гидроксильных групп:

Также в процессе отжига возможно внедрение кислорода:

Цераты бария и стронция характеризуются высоким значением протонной проводимости и имеют рабочую температуру в диапазоне 600оС - 800оС. Исследуемые образцы были синтезированы в виде керамики, а также в виде поликристаллов, выращенных методом индукционного плавления. Образцы предварительно насыщали протонами и кислородом в процессе отжига при различных парциальных давлениях воды и кислорода: на воздухе при Т ~ 650-750oC, во “влажном” азоте Т~ 625oC, и в атмосфере водорода T~650oC.

Облучение на реакторе было выполнено при двух различных температурах: 100оС и 620 С. Облучение при температуре 100оС выполняли в герметичных стеклянных ампулах в «мокром» периферийном канале; облучение при температуре 620оС выполняли в специальном нагревательном устройстве в “сухом” канале реактора ВВР-К; образцы находились в герметичных кварцевых ампулах.

Результаты и обсуждение. При исследовании протонных проводников принципиальным является установление температурных диапазонов подвижности носителей заряда и их концентрация. Используемый в данной работе метод термодесорбционной спектроскопии позволил нам однозначно определить, что на предварительно отожженном допированном церате бария имеет место выход воды с температурой максимума ~520оС и выход молекулярного кислорода Тмак ~720оС. В то же время на церате стронция наблюдается только выделение воды при Тмак ~700оС. Рис.1.

На основании полученных экспериментальных результатов был сделан вывод, что церат стронция является чисто протонным проводником, тогда как церат бария обладает смешанной протон- и кислород-ионной проводимостью. При этом не наблюдается структурных изменений.

dn/dt, относит. единицы Рис. 1. Спектры выделения воды и молекулярного кислорода из допированного церата бария a) и воды – из Были предложены математические модели, описывающие выход кислорода и воды.

Десорбция кислорода хорошо описывается кинетическим уравнением второго порядка:

где n(t) – концентрация кислорода, Ed – энергия активации десорбции, T – температура, частотный фактор. Определена энергия активации десорбции кислорода, которая составила Е = 2,99 эВ [8,9].

Выход воды предложено описывать кинетическим уравнением первого порядка в предположении, что энергия активации является квадратичной функцией концентрации молекул воды Edes = f(n).

где E Наблюдается хорошее согласие экспериментальных и расчетных данных [10].

Предварительный отжиг недопированных цератов бария и стронция в диапазоне температур 400-800оС, который является «рабочим» диапазоном для данных материалов, не приводит к внедрению протонов либо кислорода в решетку цератов. Отсутствие в ТД спектрах максимумов выделения воды и кислорода подтверждает предположение о необходимости наличия кислородных вакансий в решетке цератов для последующего растворения в нем воды или кислорода. В то же время на отожженном церате бария было обнаружено выделение незначительного количества молекулярного кислорода в области высоких температур Тmax = 940oC, как видно из рисунка 2.

Форма данного высокотемпературного пика существенно отличается от пика, описывающего выход кислорода из допированного церата бария, что свидетельствует о том, что разные, по сути физические процессы отвечают за выход кислорода из допированного и недопированного цератов бария. В первом случае кислород выходит из кислородных вакансий, тогда как во втором случае фазовый переход тетра-куб обуславливает выход кислорода-«хозяина» из недопированного церата бария.

На основании полученных результатов можно предположить, что подвижность кислорода в плотно упакованных перовскитах очень сильно зависит от структуры.

Кубическая структура церата бария с более «свободными» кислородными октаэдрами способствует более высокой кислородной подвижности по сравнению с более низкой симметрией тетрагональной или орторомбической структуры. Такой вывод согласуется с выводами, сделанными в работе [7] о неэквивалентности кислородных узлов при формировании вакансий в орторомбической фазе BaCeNdO. Поэтому орторомбичный ВаСеО3, также как и SrCeYO, имеет экстремально низкую подвижность кислорода, но очень сильную связь кислорода в решетке вплоть до фазового перехода в кубическую фазу.

Проблеме фазовых переходов BaCeO3 и твердых электролитов на его основе посвящено довольно большое количество работ, но данные, приведенные в них, зачастую противоречивы. Также остается неясным влияние состава окружающей атмосферы на структуру и фазовые переходы, хотя отмечается, что церат бария испытывает ряд фазовых переходов в интервале температур 300-1300 К. Сведения о фазовых переходах в церате стронция в литературе отсутствуют, а попытки их обнаружить методами комбинационного рассеяния и дифференциальной сканирующей калориметрии окончились безрезультатно.

Нами было проведено сравнительное исследование фазовых переходов на керамических образцах ВаСеО3 и SrCeO3 с использованием методов термодесорбционной спектроскопии, дилатометрии и электропроводности [11].

dn/dt, относительные единицы Математическая обработка температурной зависимости электропроводности церата стронция позволила выявить особые точки (таблица 1).

Результаты термодесорбционных экспериментов также показали наличие нескольких пиков выхода воды и диоксида углерода, которые коррелируют между собой по температуре (рисунок 3). В спектрах термодесорбции СО2, Н2О и Н2 из исходных керамических образцов наблюдаются четкие пики. Для образцов, отожженных при 650оС, в спектрах выделения водорода пики исчезают, а в спектрах воды и углекислого газа становятся менее Также в таблице 1 представлены значения температур соответствующих точек.

Сопоставление экспериментальных и литературных данных показало, что пять из рассмотренных особых точек могут быть достаточно надежно приписаны фазовым переходам (±10 К): 530, 665, 920-930, 1030 и 1140 К. Причем, первые два – переходы первого рода, а остальные – второго. Остальные особые точки, скорее всего, связаны с процессами адсорбции и десорбции. Подобное поведение может быть обусловлено как фазовыми переходами, так и химическими превращениями.

Таблица 1. Сопоставление экспериментальных данных по SrCeO Таким образом, проведенные исследования показали, что допированные цераты бария и стронция проявляют более высокую структурно-фазовую стабильность при отжиге в различных окислительно-восстановительных условиях и не претерпевают структурных изменений в исследованном диапазоне температур по сравнению с недопированными образцами.

Как отмечалось ранее, протонные проводники на основе твердооксидных материалов перспективны для практического применения в атомной энергетике в качестве водородных датчиков и насосов для повышения водородовзрывобезопасности ядерных установок. В связи с этим возникает необходимость исследования структурно-фазовой стабильности в условиях реакторного облучения.

В работе представлены результаты исследования влияния реакторного облучения при температурах 100оС и 620оС на структуру монокристаллических и керамических образцов церата бария и церата стронция. Перед облучением образцы были подвергнуты предварительному отжигу во влажной атмосфере, что позволило насытить их протонами и кислородом. Термодесорбционные исследования показали, что низкотемпературное (100оС) облучение на реакторе вызывает дополнительное внедрение кислорода и протонов в решетку допированных цератов бария и стронция. При этом структурно-фазовый состав образцов не меняется.

Исследование влияния низкотемпературного реакторного облучения на оксидные протонные проводники представляет определенный научный интерес. Однако более актуальным является изучение поведения данных материалов при воздействии реакторного облучения в диапазоне их рабочих температур (Т~600–700oC). Основное внимание было акцентировано на следующих аспектах: влияние высокотемпературного (ВТ) облучения на процессы внедрения протонов в решетку; возможность радиационно-стимулированного внедрения протонов в условиях облучения при высоких температурах; стабильность структурно-фазового состава после облучения.

Обнаружено, что облучение образцов при 620оС в реакторе ВВР-К в отличие от низкотемпературного (100оС) облучения приводит не только к количественным, но и к качественным изменениям в спектрах термодесорбции газов из данных материалов. Прежде всего, следует отметить почти десятикратное увеличение количества десорбированного кислорода из образцов керамического церата бария после ВТ реакторного облучения. Кроме того, в спектрах выделения молекул кислорода, как из поликристаллических, так и монокристаллических образцов церата бария после ВТ облучения наблюдается резкий всплеск при температуре 540оС (рис. 4а), который исчезает после отжига на воздухе при 620оС.

dn/dt, отн. един.

а) – спектры выделения О2 из ВаСе0,9Nd0,1O3-. после ВТ облучения на реакторе и последующего отжига на воздухе при Т=620 оС;

b) - спектры выделения О2 из образцов монокристаллического и керамического ВаСе0,9Nd0,1O3-. после ВТ облучения на реакторе.

Обнаруженный низкотемпературный всплеск выделения кислорода однозначно свидетельствует о наличии фазового перехода в оксиде. Появление данного кислородного пика было обнаружено не только на допированном церате бария, но также и на недопированных цератах независимо от технологии синтеза. Оказалось даже, что интенсивность всплеска кислорода существенно выше для монокристаллических образцов по сравнению с керамическими (рис. 4 b).

Следует отметить тот факт, что низкотемпературный всплеск выделения кислорода наблюдается не только на бариевых, но также и на стронциевых цератах. Как отмечалось ранее, стронцевые цераты являются чисто протонными проводниками и не содержат сверхстехиометрического кислорода, что подтверждают наши термодесорбционные эксперименты. Кроме того, орторомбический тип кристаллической решетки не способствует подвижности кислорода. Однако после высокотемпературного реакторного облучения в спектрах церата стронция имел место выход кислорода при 545оС, обусловленный фазовым переходом.

Спектры выделения воды также претерпевают существенные изменения после ВТ реакторного облучения (рис.5).

Рис. 5. Спектры выделения молекул воды из облученного церата бария ВаСе0,9Nd0,1O3-. после Прежде всего, общее количество интеркалированных протонов увеличивается на 25% по сравнению с необлученным образцом. Кроме того, в спектре наблюдается перегиб, температура которого совпадает с температурой кислородного всплеска. При этом температура основного максимума выделения воды смещается на ~80оС в высокотемпературную область. После дополнительного отжига на воздухе количество интеркалированных протонов практически восстанавливается до исходного значения, но температура максимума остается смещенной. Мы считаем, что такое поведение спектра выделения воды также связано с фазовым переходом.



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |
Похожие работы:

«Министерство природных ресурсов и экологии РФ Федеральное государственное унитарное предприятие Всероссийский научно-исследовательский институт геологии и минеральных ресурсов Мирового океана им. академика И. С. Грамберга Совет молодых ученых и специалистов при ФГУП ВНИИОкеангеология им. И. С. Грамберга Материалы IV Всероссийской конференции молодых ученых и специалистов Новое в геологии и геофизике Арктики, Антарктики и Мирового океана Санкт-Петербург 16—17 апреля 2014 г. Санкт-Петербург ФГУП...»

«www.ipgg.ru www.spbu.ru XXV МОЛОДЕЖНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ, ПОСВЯЩЕННАЯ ПАМЯТИ ЧЛЕНА-КОРРЕСПОНДЕНТА АН СССР К. О. КРАТЦА АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ГЕОЛОГИИ ДОКЕМБРИЯ, ГЕОФИЗИКИ И ГЕОЭКОЛОГИИ 5-9 ОКТЯБРЯ 2014 | САНКТ-ПЕТЕРБУРГ ВТОРОЙ ЦИРКУЛЯР УВАЖАЕМЫЕ КОЛЛЕГИ! Федеральное государственное бюджетное учреждение наук и Институт геологии и геохронологии докембрия РАН совместно с Институтом наук о Земле Санкт-Петербургского Государственного Университета 5-9 октября 2014 проводит XXV молодежную конференцию,...»

«Вестник Томского государственного университета. Филология. 2013. №3 (23) МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ МОТИВОЛОГИИ В ЛИНГВИСТИКЕ XXI В. (Томск, ТГУ, 24–26 октября 2012 г.) В Томском государственном университете 24–26 ноября 2012 г. состоялась первая Международная конференция Актуальные проблемы мотивологии в лингвистике XXI в.. Конференция была посвящена 95-летию основания историко-филологческого факультета ТГУ. Организатор конференции – коллектив кафедры русского языка...»

«V Троицкая конференция МЕДИЦИНСКАЯ ФИЗИКА И ИННОВАЦИИ В МЕДИЦИНЕ (ТКМФ-5) 4-8 июня 2012 г. СБОРНИК МАТЕРИАЛОВ ТОМ 2 г. Троицк Московской области 2012 г. ОРГАНИЗАТОРЫ КОНФЕРЕНЦИИ Троицкий научный центр РАН МОНИКИ имени М. Ф. Владимирского Администрация г. Троицка при поддержке Российской академии наук, Российского фонда фундаментальных исследований Министерства образования и науки РФ Правительства Московской области Правительства г. Москвы Ассоциации медицинских физиков России ISBN...»

«№13, том 27. 2011 ISSN 2074-0212 ISSN 2074-0948 International Edition in English: Butlerov Communications Полная исследовательская публикация Тематический раздел: Теоретическая и компьютерная химия. Регистрационный код публикации: 11-27-13-36 Подраздел: Математические алгоритмы в химии. Публикация доступна для обсуждения в рамках функционирования постоянно действующей интернет-конференции “Бутлеровские чтения”. http://butlerov.com/readings/ УДК 544.354.081.7:004.021. Поступила в редакцию 8...»

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК Учреждение Российской Академии наук Институт геохимии и аналитической химии им. В.И.Вернадского РАН (ГЕОХИ РАН) Учреждение Российской Академии наук Институт физики Земли им. О.Ю.Шмидта (ИФЗ РАН) Учреждение Российской Академии наук Институт геологии рудных месторождений, петрографии, минералогии и геохимии РАН (ИГЕМ РАН) Учреждение Российской Академии наук Институт экспериментальной минералогии РАН (ИЭМ РАН) Петрофизическая комиссия Междуведомственного Петрографического...»

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ПУЩИНСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РАН АДМИНИСТРАЦИЯ Г. ПУЩИНО ИНСТИТУТ БИОФИЗИКИ КЛЕТКИ РАН ПУЩИНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ 13-я МЕЖДУНАРОДНАЯ ПУЩИНСКАЯ ШКОЛА-КОНФЕРЕНЦИЯ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ 28 СЕНТЯБРЯ – 2 ОКТЯБРЯ 2009 ГОДА СБОРНИК ТЕЗИСОВ Пущино 2009 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ПУЩИНСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РАН АДМИНИСТРАЦИЯ Г. ПУЩИНО ИНСТИТУТ БИОФИЗИКИ КЛЕТКИ РАН ПУЩИНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ 13-я ПУЩИНСКАЯ МЕЖДУНАРОДНАЯ ШКОЛА-КОНФЕРЕНЦИЯ...»

«1 МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ Учреждение образования Белорусский государственный технологический университет ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХОЛОГИЯ И ТЕХНИКА Тезисы докладов 78-й научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, научных сотрудников и аспирантов (с международным участием) Минск 2014 2 УДК 66+62]:005.745(0.034) ББК 35я73 Х 46 Химическая технология и техника : тезисы 78-й науч.-техн. конференции профессорско-преподавательского состава, научных сотрудников и...»

«` МАТЕРИАЛЫ МЕЖДУНАРОДНОЙ ЗАОЧНОЙ НАУЧНО-ПРАКТИЧЕСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ НАУКА И ТЕХНИКА XXI ВЕКА Новосибирск, 2011 г. УДК 62 ББК 30 Н 34 Рецензент — кандидат физико-математических наук, Зеленская Татьяна Евгеньевна, Югорский государственный университет (г. Ханты-Мансийск) Н 34 Наука и техника XXI века: материалы международной заочной научно-практической конференции. (14 ноября 2011 г.) — Новосибирск: Изд. Априори, 2011. — 148 с. ISBN 978-5-4379-0021-5 Сборник трудов международной заочной...»

«Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО Сибирский государственный технологический университет ЛЕСНОЙ И ХИМИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКСЫ ПРОБЛЕМЫ И РЕШЕНИЯ Сборник статей студентов и молодых ученых всероссийской научно-практической конференции Том 1 Красноярск 2007 1 Лесной и химический комплексы проблемы и решения: Всероссийская научно-практическая конференция. Сборник статей студентов и молодых ученых. - Красноярск: СибГТУ, Том 1, 2007. – 332 с. Редакционная коллегия: Буторова О.Ф. - доктор...»

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ЮЖНЫЙ МАТЕМАТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ВНЦ РАН И РСО-А ПОРЯДКОВЫЙ АНАЛИЗ И СМЕЖНЫЕ ВОПРОСЫ МАТЕМАТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ Тезисы докладов международной научной конференции (Владикавказ, Россия, 19–24 июля 2010 г.) Владикавказ ЮМИ ВНЦ РАН и РСО-А 2010 УДК 517 + 519 Порядковый анализ и смежные вопросы математического моделирования: тезисы докладов международной научной конференции (Владикавказ, 19–24 июля 2010 г.). Владикавказ: ЮМИ ВНЦ РАН и РСО-А, 2010. 325 с. c Южный...»

«ФИЛИАЛ МОСКОВСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ М.В. ЛОМОНОСОВА в г. Севастополе 25 При поддержке Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ 2009 МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ СТУДЕНТОВ, АСПИРАНТОВ И МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ЛОМОНОСОВ –2009 Под редакцией: В.А. Трифонова В.И. Кузищина В.А. Иванова Н.Н. Миленко В.В. Хапаева Севастополь ББК 20я Я 43 Материалы Научной конференции Ломоносовские чтения 2009 года и Международной научной...»









 
2014 www.konferenciya.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Конференции, лекции»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.