WWW.KONFERENCIYA.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Конференции, лекции

 

Pages:   || 2 | 3 |

«2 3 Лекция 1. Головин Ю.И. НАНОТЕХНОЛОГИИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ НОЦ Нанотехнологии и наноматериалы Тамбовского государственного университета имени Г.Р. Державина golovin Быть может, ...»

-- [ Страница 1 ] --

2

3

Лекция 1.

Головин Ю.И.

НАНОТЕХНОЛОГИИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ

НОЦ «Нанотехнологии и наноматериалы»

Тамбовского государственного университета имени

Г.Р. Державина

golovin@tsu.tmb.ru

Быть может, эти электроны –

Миры, где пять материков, Искусства, знанья, войны, троны И память сорока веков!

Еще, быть может, каждый атом – Вселенная, где сто планет.

Там все, что здесь в объеме сжатом, Но также то, чего здесь нет.

В. Брюсов 1.1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ Пришествие эры нанотехнологии как всеобщего и системного подхода к решению самых трудных технических задач в громадной степени было стимулировано беспрецедентными темпами развития микроэлектроники.

Она и остается одной из важнейших и крупнейших сфер приложения нанопарадигмы. Поэтому большинство достижений в нанонауке сначала оцениваетcя на предмет перспективности их использования в компьютерной технике, средствах связи, электронике промышленного и бытового назначения.

Наноэлектроника, безусловно, находится на переднем крае нанонауки и нанотехнологии, поскольку перед ней стоят наиболее амбициозные, сложные, многофакторные и многокомпонентные задачи, которые могут быть решены только комплексно – путем объединения усилий физиков, химиков, биологов, материаловедов, инженеров-электронщиков, системотехников, программистов.

После изобретения в 1959 г. планарной технологии создания на поверхности очень чистого кремния интегральных схем (ИС) и ее промышленного освоения в последующие годы темпы совершенствования элементной базы твердотельной электроники были исключительно высокими: динамика улучшения всех существенных параметров больших интегральных схем (БИС) укладывается на экспоненту (закон Мура). Так, число элементов в микропроцессорах и блоках динамической памяти (DRAM – Dynamic Random Access Memory) на протяжении почти полувека удваивается каждые полтора года. Этому соответствуют неуклонное уменьшение характерных размеров отдельных элементов R, увеличение быстродействия, снижение энергопотребления и стоимости (рис.1.1).

а) б) в) Рис. 1.1. Динамика некоторых показателей развития твердотельной микроэлектроники: а – тактовая частота процессоров (различные типы выпускавшихся процессоров обозначены разными точками); б – стоимость одной ячейки оперативной памяти в зависимости от емкости микросхемы DRAM; в – суммарное количество транзисторов, произведенных в мире за год В дальнейшем некоторого прогресса можно ожидать и от совершенствования существующих подходов. Однако, по общему мнению специалистов, имеющиеся в промышленности технологии не смогут обеспечить такой рывок даже после существенного улучшения, поскольку в значительной мере они уже исчерпали свои возможности эволюционного совершенствования.

Освоение 10-нанометрового диапазона потребует создания принципиально новых физических основ и технологий производства элементной базы, которые в общих чертах просматриваются уже сейчас. Интервал 1… нм – пока поле деятельности для фундаментальных исследований, которые только нащупывают возможные пути продвижения массовых технологий в эту область.

1.2. ОСНОВНЫЕ ФУНКЦИИ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Хотя нано-/микроэлектроника не есть абсолютный синоним компьютерно-информационной техники, с некоторыми небольшими оговорками можно согласиться с почти полной эквивалентностью этих понятий в настоящее время. Это соглашение дает основание схематически представить основные функции и соответствующие устройства современной микроэлектроники через призму потребностей компьютерной техники так, как это изображено на рис. 1.2.

Следуя ему, выделим пять основных функций информационных систем и кратко опишем их.

1. Обработка информации. Одна из центральных задач любого компьютера или информационной системы – процессинг, т.е. быстрая обработка поступающей информации и выдача решений и управляющих команд. Часто ее жизненно необходимо (или, по меньшей мере, крайне желательно) проводить в режиме on line (управление летательными и космическими аппаратами, атомными электростанциями, сложными энергетическими и технологическими установками и т.п.).

Для этого в любом компьютере имеются микропроцессор (или группа связанных микропроцессоров) и средства оперативной памяти, с которыми процессор во время работы периодически обменивается информацией. В настоящее время это наиболее сложные и дорогостоящие узлы информационных систем (компьютеров), в значительной мере определяющих их возможности.

2. Хранение информации. Имеется в виду долговременное энергонезависимое сохранение больших объемов информации, к которой время от времени может обращаться информационная система. Соответствующие устройства не обязаны быть такими же быстродействующими, как блоки оперативной памяти (обычное время доступа – миллисекунды), но они должны обладать большой емкостью и надежностью для безусловного сохранения информации в течение, по крайней мере, нескольких лет без энергопотребления и обновляющей перезаписи. Вместе с тем они должны позволять записывать новую информацию и удалять ненужную.

Рис. 1.2. Основные функции и узлы компьютерно-ориентированной электроники 3. Передача информации. Уже сейчас бльшая часть компьютеров, телефонов, телевизоров, технологической электроники работает в сетях, т.е.

они должны быть соединены друг с другом линиями связи. Существуют и внутренние связи в компьютере, локальном информационном или технологическом модуле, каждой отдельной микросхеме. Очевидно, в будущем степень интегрированности на всех уровнях иерархии электронных систем (в микросхеме, компьютере, локальных и глобальных сетях) будет только нарастать и определять функциональность, надежность, себестоимость процесса и другие характеристики. В принципе возможна как гальваническая связь посредством проводников, так и бесконтактная с помощью электромагнитных волн сверхвысокочастотного (СВЧ) или оптического диапазона.



4. Преобразование информации – получение ее из внешней среды и трансформация в электрический сигнал (на время оставим за скобками другие виды преобразований и обсудим их позже). Физически это осуществляется различными сенсорами, датчиками, микрофонами, видеокамерами и др.

Другая сторона этой функции – обратное преобразование закодированной информации в звуковые и зрительные образы, команды, исполнительные действия (механическое перемещение; силовое, тепловое или оптическое воздействие; технологическая обработка и т.п.). Здесь нарушается однородность системы и приходится переходить от одних физических процессов (механических; акустических, оптических, тепловых, химических и т.д.) к другим (электрическим) и, наоборот, преобразовывать электрические сигналы в действия и образы с помощью актуаторов, двигателей, инструментов, дисплеев, индикаторов, громкоговорителей и др.

Зачастую в англоязычной литературе для краткости все устройства, преобразующие информацию об окружающей среде в электрический сигнал, называют сенсорами, а выполняющие обратное преобразование – актуаторами. Иногда так будет поступать и автор, расширительно трактуя эти термины.

Поскольку практически все современные вычислительные машины работают с дискретной (оцифрованной информацией), а сенсоры и актуаторы – с аналоговой, для их взаимодействия необходимы аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи, которые можно интегрировать в одном корпусе с соответствующим прибором или смонтировать на единой плате сбора и первичной обработки данных (Data Acquisition System – DAS). Не взирая на буквальный перевод, современные DAS способны не только собирать и оцифровывать первичные данные с большого числа датчиков (типично – с 32 или 64), но и выдавать команды и управляющие сигналы, которые формирует компьютер, в дискретной или аналоговой форме.

5. Защита информации. Наконец, последняя (но не по значимости в ответственных случаях) функция – защита информации от несанкционированного доступа, использования, искажения, стирания и т.п. Она должна осуществляться как на физическом уровне, так и на программном и организационно-правовом.

Заметим, что при таком широком толковании функций нано-/микроэлектроники практически все важные сферы ее применения и соответствующие устройства оказываются вовлеченными в рассмотрение. Состояние проблемы и перспективы развития в каждом из этих разделов и функций электроники целесообразно обсудить отдельно, поскольку перед ними стоят несколько различающиеся задачи. Однако есть и общие требования: повышение функциональности и интеллектуальности изделий, технологичности производства, надежности, быстродействия, пропускной способности, емкости памяти при одновременном снижении материалоемкости, энергопотребления, себестоимости, сложности пользования.

С позиций новизны и радикальности подходов (а следовательно, и необходимых для реализации материально-экономических ресурсов и затрат времени) можно обозначить три основных парадигмы:

развитие наноэлектроники путем эволюционного совершенствования существующих "кремниевых" планарных технологий;

более глубокое модифицирование планарной технологии и распространение ее на другие материалы и ситуации;

создание принципиально новой электроники следующих поколений на основе "некремниевых" устройств и физических принципов.

Эти революционные идеи предполагают использование квантовых сверхпроводящих компонентов, нанотрубок, фуллеренов и их производных, оптотроники, биоэлектроники, квантового распределенного компьютинга, одноэлектроники, спинтроники и др.

В англоязычной литературе эти три направления для краткости иногда называют так: "в будущее вместе с кремнием", "рядом с кремнием" и "без кремния". В настоящее время возможности кремниевых технологий до конца еще не исчерпаны (рис. 1.3), и при наличии больших производственных мощностей, отлаженного производства, подготовленных специалистов, инфраструктуры, разогретых рынков сбыта это направление еще долго будет занимать на рынке доминирующие позиции.

Рис. 1.3. Три возможных сценария развития микро-наноэлектроники в Однако серьезные принципиальные ограничения, имеющиеся на этом пути, заставляют думать и над альтернативами. Более близким и прогнозируемым экспертам представляется второе направление. Однако, скорее всего, это паллиатив, и революционные преобразования информационной техники нас ждут за пределами "кремниевой" идеологии.

В представленной последовательности и будет здесь бегло обсуждаться роль нанотехнологий в ожидаемом прогрессе электроники.

МИНИАТЮРИЗАЦИИ

На каждом направлении развития наноэлектроники существует несколько групп предложений различной степени новизны и трудности осуществления. В первую очередь целесообразно представить себе, каковы фундаментальные пределы миниатюризации и чем они обусловлены. Можно выделить три группы принципиальных причин, налагающих ограничения на дальнейшее уменьшение размеров отдельных элементов в БИС (рис.





1.4):

1) термодинамические;

2) электродинамические;

3) квантово-механические.

Рис. 1.4. Фундаментальные пределы миниатюризации электроники: R – характерный размер элемента; W – энергия, рассеиваемая при одном переключении. Для сравнения показаны характеристики нейрона и синапса человека Первая из них обусловлена конечной температурой объектов, хаотическим тепловым движением атомов и электронов, нагревом вследствие протекания тока (джоулевым тепловыделением и условиями теплоотвода), действием первого и второго начал термодинамики (в частности, стремлением к росту энтропии и потере информации в системе), особенностями обратимых и необратимых процессов в нанообъектах и др.

Электродинамические ограничения вызваны инерционностью емкостей и индуктивностей в схеме, что препятствует быстрому изменению напряжения и тока при переходе от одного состояния к другому (например, при работе логических ключей в микропроцессоре или ячеек динамической памяти). Конечная скорость распространения электромагнитных волн (особенно в присутствии проводников, ферромагнетиков, ферроэлектриков), движения носителей заряда, перемагничивания ферромагнетиков или переполяризации диэлектриков налагает дополнительные ограничения на быстродействие.

Третья группа причин проявляется при уменьшении характерных размеров объекта R до атомарных масштабов. При этом начинает становиться заметной атомная и электронная дискретность в явлениях переноса, взаимодействия частиц и т.п. Приближение R к длине волны Луи де Бройля для электронов = 2 / [здесь – постоянная Планка (дираковская); p – импульс электрона] приводит к деформации и дискретизации электронных спектров, изменению электрических, магнитных и оптических свойств вещества. Снижение массы (а следовательно, импульса p и энергии Е частицы) вызывает рост неопределенности ее положения ( х, у, z) и длительности существования данного состояния ( t) в соответствии с принципом неопределенности В. Гейзенберга: pх х / 2 и Е t / 2. Вместе с тем трансформация непрерывных спектров, распределений, состояний, характерных для объемных тел, в дискретные по мере уменьшения R отчасти даже помогает разработке новых принципов в цифровой технике.

Из рис. 1.4 видно, что до принципиальных пределов совершенствования электроники, положенных Природой, еще очень далеко. Реально сейчас необходимо бороться с различными практическими затруднениями и проблемами, которые можно объединить в несколько групп. Перечислим их:

создание и выбор эффективных материалов, технологий их производства, обработки и применения;

разработка новых принципов действия отдельных компонентов и технологий их приготовления в промышленных масштабах;

оптимизация электрических схем на уровне схемотехники;

совершенствование системной архитектуры сложных устройств или комплексов.

Рассмотрим их несколько подробнее в перечисленной последовательности.

1.4. ОСНОВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ

Несмотря на значительную роль кремния (которая будет сохраняться и в ближайшем будущем), новые материалы постепенно вытесняют его из традиционных сфер приложений и создают новые ниши. В этом случае речь идет о промышленном освоении новых принципов и "некремниевых" полупроводниковых материалов, диэлектриков с высокой (для конденсаторов) и с низкой (для подложек и каналов связи) диэлектрической проницаемостью, сверхпроводников, фуллеренов и нанотрубок, новых самоупорядочивающихся магнитных и электрических материалов, синтетических и естественных макромолекулярных структур (органических молекул, полимеров, ДНК, энзимов, мембран и т.п.).

Ввиду сохраняющейся важности кремния как ключевого материала современной твердотельной электроники коротко опишем его свойства. Это тем более полезно, что одновременно будут продемонстрированы те общие подходы и методы, которые применимы и к другим полупроводниковым материалам.

Итак, кремний – второй (после кислорода) по распространенности в земной коре элемент Периодической системы химических элементов Д.И.

Менделеева.

Это означает, что на внешней электронной оболочке он имеет четыре валентных электрона, которые могут образовывать четыре ковалентные связи с четырьмя такими же атомами. При нормальном давлении и комнатной температуре кремний находится в кубической фазе, класс m3m, Fd3m ( О7 ) h со структурой алмаза.

При изменении условий возможны и некоторые другие модификации (тетрагональная типа -Sn, гексагональная типа вюрцита и др.). При Т = К плотность кубической фазы = 2,39 г/см3, а ширина запрещенной зоны Еg = 1,09 эВ.

В настоящее время освоена техника промышленного выращивания высокочистых (содержание электрически активных примесей 10–9) монокристаллических слитков бездислокационного кремния диаметром до мм. Масса такого слитка достигает 200 кг, а стоимость – нескольких десятков тысяч долларов США. Переход от производства слитков диаметром мм к диаметру 300 мм несколько лет назад дал уменьшение стоимости 1 см подложки микросхемы на 30 %. Это очень существенно, учитывая объемы мировых продаж микроэлектроники – самой крупной на сегодняшний день индустрии в мире: более 1 трл дол. в год, что составляет 3 % совокупного мирового продукта и превышает объемы рынков металлургии, химической промышленности. Поэтому ведутся разработки технологии выращивания слитков диаметром 400 и даже 500 мм.

Проводимость чистого кремния в темноте чрезвычайно низка, поскольку ширина запрещенной зоны превышает среднюю энергию тепловых колебаний ЕТ = kТ при Т = 300 К в 40 раз (здесь k – постоянная Больцмана).

Для создания определенного типа проводимости кремний легируют контролируемым введением примеси (обычно элементами III и V групп по таблице химических элементов Д.И. Менделеева), так что вблизи дна зоны проводимости и потолка валентной зоны создаются так называемые мелкие примесные центры.

Рис. 1.5. Упрощенное изображение энергетической диаграммы непрямозонного полупроводника (в частности, Si) и некоторых наиболее важных процессов в нем: h – квант электромагнитного поля Глубина их залегания Еd сопоставима с kТ, что обеспечивает их термическую ионизацию и активацию соответствующего типа проводимости в соответствии с законом Больцмана:

При легировании элементами V группы возникают донорные центры и электронный тип проводимости, а при легировании элементами III группы – акцепторные и дырочный тип проводимости. Объемное легирование при выращивании слитка путем добавления в расплав соответствующей примеси и приповерхностное с помощью ионной бомбардировки подложки в процессе производства микросхем широко используются для создания необходимой величины и типа примесной проводимости в Si.

Наряду с неоспоримыми достоинствами, благодаря которым кремний прочно удерживает доминирующие позиции в микроэлектронике несколько десятилетий, он имеет ряд особенностей, затрудняющих его использование в некоторых приложениях. Так, подвижность электронов в нем на одинполтора порядка величины ниже, чем в соединениях 3А5В. Это предопределяет потенциально более высокое быстродействие приборов, построенных на "некремниевой" основе. Монокристаллический кремний является непрямозонным полуРис. 1.6. Три типа технологий, применяемых в производстве микроэлектроники проводником, т.е. минимум дна зоны проводимости на энергетической диаграмме (рис. 1.5) не располагается над максимумом потолка зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов. Поэтому преобразование электрической энергии в световую в нем крайне неэффективно. Также мал и выход фотолюминесценции (~10–6). Эти обстоятельства не дают возможности создавать кремниевые оптоэлектронные приборы и рассматривать монокристаллический Si как универсальный материал для микроэлектроники. Некоторые "обходные" пути реабилитации кремния в этом качестве будут обсуждены ниже.

Основные процессы, используемые в производстве наноэлектроники на базе Si, могут быть объединены в три класса: модифицирующие, удаляющие и добавляющие новый материал.

Каждый из них, в свою очередь, разбивается на несколько групп. За редким исключением, почти все перечисленные на рис. 1.6 технологии уже применяются в промышленных масштабах, но при переходе на новый масштабный уровень (10…100 нм) потребуют серьезного совершенствования.

Для того чтобы создать интегральную электрическую схему на поверхности чипа (от английского слова chip – осколок, щепка, стружка, кусочек материала, полученный откалыванием, обычно тонкой продолговатой формы), необходимо сформировать на ней области с проводящими, диэлектрическими и полупроводниковыми свойствами. Вкратце суть планарной технологии состоит в том, что сначала чистую поверхность кремния окисляют в потоке кислорода и образуют на ней тонкий слой диоксида кремния, обладающий хорошими диэлектрическими свойствами. Затем в этом слое тем или иным способом вскрывают окна (обычно методом химического травления) для легирования кремниевой подложки и нанесения на эти места других необходимых материалов.

Наносимые слои с проводящими, диэлектрическими или полупроводниковыми свойствами имеют субмикронные толщины и, чередуясь, могут образовывать отдельные компоненты, связанные в заданную электрическую схему. Совокупность процессов формирования на поверхности кремния требуемых структур и составляют основу современных планарных технологий.

Рис. 1.7. Ориентировочная структура затрат на производство интегральной микроэлектроники Другие составные части современной технологии производства БИС – разрезка слитка кремния на шайбы, их полировка, литография (перенос рисунка электрической схемы на поверхность кремниевой пластины), различные виды термообработки, формирование тонкопленочных структур, сборка и контроль качества (пооперационный и финишный). На всех этих этапах, кроме литографии, не возникает особых затруднений при уменьшении масштабов технологической сетки (характерных размеров элементов), поэтому здесь они не рассматриваются подробно. Заметим лишь, что каждый из них вносит несколько меньший, но сопоставимый с литографией вклад в (рис. 1.7).

Остановимся подробнее на ключевой стадии производства БИС – лучевой литографии (рис. 1.8), которая предшествует, собственно, созданию на поверхности пластин кремния электрической цепи.

Слово "литография" происходит от двух греческих корней, означающих "камень" и "пишу". Первоначально им обозначали способ печатания изображений, при котором рисунок сначала наносили на плоскую поверхность камня, а затем делали оттиск с него на другом материале. Во второй половине XX в. так стали называть и процессы переноса рисунков электрических схем в производстве микроэлектроники.

Смысл и главная цель литографии заключаются в переносе чертежа электрической схемы устройства на кремниевую (в подавляющем большинстве случаев) подложку. После этого различными физико-химическими средствами осуществляют поэтапное формирование необходимых структур и их соединений. Обычно для этого требуется несколько десятков операций, итогом которых является готовая интегральная электрическая схема или микроэлектромеханическая система (МЭМС).

Рис. 1.8. Оптическая нанолитография: И – источник излучения; О – оптические элементы; М – маска-шаблон; Р – резист; П – подложка Одно из основных преимуществ такой технологии – одновременное создание на поверхности чипа структуры, состоящей из громадного числа элементов (в настоящее время до ~ 109 элементов, из них – 108 транзисторов).

Современная промышленная микро-/нанолитография использует главным образом оптический способ переноса рисунка с шаблона на поверхность подложки, в связи с чем сам процесс часто называют фотолитографией. Существенной частью этого процесса являются изготовление фотошаблона с необходимым рисунком и нанесение на поверхность пластины фоточувствительного слоя – резиста (от латинского корня resist – сопротивляться). С помощью ультрафиолетового, рентгеновского или другого источника резист экспонируется через фотошаблон. Последний при этом может лежать на поверхности резиста (контактная печать) или находиться на расстоянии от него. Во втором случае изображение фотошаблона проектируется на поверхность резиста с уменьшением в несколько раз с помощью оптической системы (проекционная печать). При этом размеры всех элементов на фотошаблоне могут быть в 4–5 раз больше, чем на изготавливаемой микросхеме, и требования к точности изготовления шаблона существенно снижаются.

Далее на фоторезист действуют селективным химическим травителем.

Проэкспонированные участки резиста стравливаются со скоростью, во много раз отличающейся от неэкспонированной (если с большей – то получается позитивное изображение шаблона, если с меньшей – негативное). При длительном травлении рисунок начинает вытравливаться и на подложке (кремний, диоксид кремния, металл и др.). В этой связи становится понятно, почему пленка, наносимая на поверхность подложки, называется резистом.

Показанная на рис. 1.8 схема оптической литографии сильно упрощена. Реальный процесс содержит гораздо больше стадий (операции нанесения и закрепления резиста на окисленной поверхности кремния, тщательное позиционирование трафаретов, различные виды обработки резиста и оксидного слоя после фотоэкспозиции и т.д.). Но они не имеют принципиального значения для нашего обсуждения, поскольку не являются лимитирующими дальнейшее снижение размеров рисунка изготавливаемой микросхемы.

Использование оптического – наиболее удобного и разработанного способа литографии – предопределяет физический предел миниатюризации при ее применении: ~ 100 нм (в случае экспонирования резиста ультрафиолетовым источником). Для дальнейшего повышения разрешения необходимо применять или более жесткое излучение – рентгеновское, электронное, ионное – или переходить к альтернативным технологиям.

Общими требованиями при разработке альтернативных методов нанолитографии являются:

высокая производительность;

высокая точность установки и совмещения масок-шаблонов для каждого слоя создаваемой многослойной структуры;

достаточно мощные (для достижения высокой производительности), монохроматичные (для обеспечения высокого разрешения), стабильные во времени источники излучения; необходимость использования для дальнейшего роста разрешения источников все с меньшей и меньшей длиной волны;

своя маска для каждого отдельного изображения (а их требуется до нескольких десятков для производства одной БИС), которая в областях пропускания должна передавать излучение без искажений, а в областях поглощения излучения не должна сильно нагреваться, деформироваться, искажать переносимый на подложку рисунок;

использование высокочувствительного резиста, что позволяет установить меньшую экспозицию при облучении, и достаточно контрастного для обеспечения высокого разрешения.

Поскольку производство микроэлектроники – одно из самых высокотехнологичных и капиталоемких, экономические вопросы стоят всегда очень остро и, по существу, являются определяющими при выборе технологии (одна литографическая система стоит десятки миллионов долларов, их суммарная стоимость на типовом предприятии составляет около половины его стоимости и имеет тенденцию к росту, а само предприятие стоит несколько миллиардов долларов).

Последний тезис иллюстрирует рис. 1.7, из которого видно, что затраты на литографию превышают любые другие в производстве микроэлектроники.

Итак, одно из узких мест на пути дальнейшей интеграции и миниатюризации БИС – литография все с бльшим разрешением. Количественно разрешение по Рэлею определяется соотношением где k 0,6; – длина волны используемого излучения; А – апертура оптики.

Из этого соотношения следует, что улучшать разрешение можно путем уменьшения и увеличения А. Возможности второго способа ограничены техническими особенностями оптических систем, пригодных для литографии. Реально удается достигать А 0,8. Таким образом, остается один путь – применение источников с меньшей величиной. В оптическом диапазоне для этого можно использовать g-линию ртутной лампы ( = 436 нм), а в ближнем ультрафиолетовом – i-линию той же лампы (365 нм) и излучение эксимерных лазеров на Kr ( = 248 нм); АrF ( = 193 нм); F2 ( = нм); Ar2 ( = 126 нм). Эксимерными называют газовые лазеры, работающие на электронных переходах молекул, кратковременно существующих в условиях электрического разряда. Следует учесть, что воздух сильно поглощает излучение с 200 нм, поэтому для работы в этом диапазоне необходим вакуум.

Из приведенных соображений и вытекает, что нанолитография с R < 100 нм требует перехода к более жесткому излучению. Рассмотрим имеющиеся предложения и наработки, направленные на дальнейшее улучшение разрешения в нанолитографических процессах.

Электронно-лучевая литография. Она может быть реализована двумя способами: проекционным – с помощью расфокусированного пучка, облучающего всю подложку сразу, и точечным – посредством хорошо сфокусированного пучка. В первом случае необходима маска-шаблон, как и в проекционной оптической литографии (см. рис. 1.8), а во втором – нет (пунктирная стрелка справа на рис. 1.8).

Достигнутое к настоящему времени разрешение составляет при этом ~ 50 и 20 нм соответственно. Однако, несмотря на большее разрешение, безмасочная литография имеет крупный недостаток – низкую производительность, поскольку объект обрабатывается последовательно, от точки к точке.

Из-за этого она может применяться лишь в производстве высокоточных масок, используемых затем многократно. Два эффекта препятствуют дальнейшему увеличению разрешения: кулоновское отталкивание электронов в пучке и дробовой шум (следствие дискретности потока электронов, становящееся заметным при малых токах в пучке нанометрового диаметра). Оба эти явления приводят к размытию изображения, т.е. понижению разрешения.

Ионно-лучевая литография. В целом она весьма похожа на электронно-лучевую, однако благодаря гораздо меньшей эквивалентной длине волны (для ионов Не = 5 10–5 нм при U = 100 кВ, в то время как для электронов = 4 10–3 нм при том же напряжении) дает возможность работать при значительно меньшей апертуре. Это позволяет иметь бльшую глубину резкости изображения и экспонировать за один прием бльшую площадь (~ 1 см2) при проекционной литографии с возможностью уменьшения изображения в 3–4 раза.

Ионно-лучевая литография может быть также осуществлена сфокусированным пучком диаметром 5…10 нм. Отметим также более высокую чувствительность резистов к ионным пучкам, нежели к электронным, а также возможность работы прямо по поверхности кремния без нанесения резиста (прямым распылением подложки).

Вместе с тем при проекционной печати этот способ требует двух комплементарных масок на каждый рисунок, которые должны позиционироваться с очень высокой точностью друг относительно друга (порядка нескольких нанометров). Ионный пучок может создавать радиационные повреждения подложки. Эти и другие трудности делают ионную литографию менее развитой, чем электронная.

Рентгеновская литография. Она может быть осуществлена с помощью пучка фотонов с 1 нм, в качестве которого удобно использовать синхротронное или ондуляторное излучение. Препятствием для быстрой массовой реализации является необходимость использования мощного и весьма громоздкого источника излучения, а также предварительного изготовления высокоточных масок в масштабе 1:1.

Последнее условие есть следствие невозможности сфокусировать рентгеновский пучок аналогично оптическому, электронному или ионному.

В результате отсутствует возможность получать на кремниевой подложке значительно уменьшенное (относительно масштаба шаблона-матрицы) изображение и добиваться дополнительной миниатюризации за счет этого.

Литография в жестком ультрафиолетовом излучении. В качестве источника такового предлагается использовать плазму газового разряда.

Основные проблемы – создание высокоточных, бездефектных масок и мощных источников ультрафиолетового излучения. При требуемой нм необходимая мощность излучения составляет ~ 100 Вт в полосе 0,25 нм.

В заключение этого подраздела рассмотрим альтернативные (нелучевые) методы нанолитографии.

Микроконтактная печать. Этот метод весьма похож на типографскую печать со свинцовых матриц. Однако он требует высокоточных шаблонов, специфических полимерных материалов для перенесения рисунка с матрицы на подложку, покрытую золотом или серебром, и имеет невысокое разрешение (~ 100 нм).

Рис. 1.9. Зондовая нанолитография: а – атомные манипуляции и дизайн; б – химические реакции в резисте (полимеризация, восстановление, окисление); в – осаждение из газовой или жидкой фазы Зондовые методы. Потенциально они обладают очень высоким разрешением (1…10 нм), относительной простотой осуществления и требуемого оборудования (рис. 1.9).

Однако производительность такого "письма нанопером" ограничивается максимально допустимой скоростью латерального движения зонда (~ 100 мкм/с), т.е. ~ 103 элементов/с. Значительно увеличить производительность можно с помощью матриц, содержащих 103…104 зондов, работающих одновременно.

Наноимпринтинг. Этот способ считается самым перспективным из нелучевых методов нанолитографии. По своей идее он напоминает технологию производства грампластинок на виниловых дисках времен середины прошлого века. Она заключалась во вдавливании металлической матрицы в разогретую поверхность полимера. Предложено несколько вариантов осуществления этого процесса в наношкале (рис. 1.10). Это могут быть и буквальное воспроизведение старой технологии на новом техническом уровне (рис. 1.10, а), и некоторые модификации, две из которых показаны на рис.

1.10, б и в.

В массовом производстве (не опытно-лабораторном) определяющую роль в выборе конкретной технологии играют экономические соображения, в частности себестоимость продукта, стоимость и сложность оборудования, оснастки (например, масок-шаблонов), их надежность, стойкость (для масок – число циклов печати, которые они выдерживают) и т.п.

1.6. ОСНОВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ МИКРОСХЕМ

Ключевую роль в любой микросхеме играют активные элементы: диоды и транзисторы. Опуская описание биполярных транзисторов, которые не находят большого применения в БИС, рассмотрим устройство и принцип действия полевых (или униполярных). Однако сначала представим себе другой элемент, являющийся основным компонентом такого транзистора и важный сам по себе, – конденсатор на поверхности кремниевой пластины.

Чаще всего диэлектриком служит тонкий слой диоксида кремния, который образуют, пропуская над разогретой пластиной поток сухого или влажного кислорода. Такая технология называется сухим или влажным термическим окислением соответственно. Существуют и другие методы, но они не получили большого распространения из-за менее качественной структуры образуемого окисленного слоя.

Пленка SiO2 обладает высокими диэлектрическими свойствами и может служить как материалом маски, через которую напыляют последующие структуры, так и изоляцией между отдельными элементами схемы. Обычная ее толщина в современных БИС – несколько нанометров, но по мере уменьшения всех размеров прибора она должна стать 1 нм. Благодаря громадной величине запрещенной щели (~ 9 эВ) и возможности вырастить весьма структурно-совершенные слои SiO2 является прекрасным диэлектриком даже при такой толщине. Однако с ее уменьшением начинают сказываться квантовые эффекты туннелирования, что является фундаментальным препятствием на пути миниатюризации таких приборов, поскольку туннелирование приводит к резкому увеличению тока утечки.

Для борьбы с этим эффектом предлагается применять материалы с высокой диэлектрической проницаемостью ( от нескольких десятков до нескольких сотен): Al2O3, ZrO2, SrTiO3, Gd2O3 и оксиды других редкоземельных металлов.

При малом напряжении оксидные конденсаторы проявляют сильную нелинейность – зависимость емкости от приложенного напряжения. Она возникает из-за обеднения носителями слоя Si, прилегающего снизу к слою SiO2. В результате проводимость этого слоя Si резко падает и эквивалентная толщина диэлектрического зазора между металлическим слоем и проводящим кремнием существенно возрастает. Эти эффекты, интересные сами по себе, позволяют формировать конденсаторы, емкость которых управляется приложенным напряжением. Еще большее применение они находят в МОПтранзисторах (металлоксидно-полупроводниковых).

В центре под слоем диэлектрика в нем располагается проводящий канал, управляемый электрическим полем конденсатора (откуда и произошло название "полевой"). С двух сторон от него создают области с другим типом проводимости, нежели в подложке, которые называются "исток" и "сток". На них напыляют металлические контакты для подведения разности потенциалов к каналу.

Электрод, нанесенный в центральной области на слой диэлектрика над каналом, называется "затвор". Поскольку исток и сток вместе с материалом подложки образуют два р-n-перехода, включенных навстречу друг другу, при любой полярности приложенного к ним напряжения ток в канале практически отсутствует. Подача положительного напряжения на затвор вызывает сначала оттеснение дырок от поверхности раздела Si–SiO2, т.е. обеднение этой зоны основными носителями и обогащение неосновными – электронами. Дальнейший рост напряжения приводит к притягиванию еще большего числа электронов.

При некотором критическом значении затворного напряжения реализуется условие инверсии проводимости и возникает проводящий канал с тем же типом проводимости (n-), что и в области истока и стока. Теперь ничто не мешает электронам течь в этом тонком (единицы – десятки нанометров) канале, индуцированном поперечным полем; транзистор открывается. С повышением напряжения на затворе растет проводимость канала, что и обеспечивает управление выходным током транзистора.

Существуют также транзисторы с встроенным каналом, а не индуцированным электрическим полем затвора.

В последнее время между пленками металла на затворе (обычно Al) и SO2 создают слой сильно легированного поликристаллического кремния.

Это дает возможность уменьшения размеров транзистора и дополнительного управления свойствами затвора.

Нанесение дополнительных слоев диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью позволяет уменьшить ток утечки через затвор и улучшить другие характеристики прибора. Дальнейшее уменьшение размеров полевых транзисторов возможно за счет изменения его конструкции;

установки двух затворов, вытянутых в вертикальном направлении, использования механически напряженных слоев кремния и др.

Интересно проанализировать, как будут меняться основные характеристики прибора при изменении масштаба технологической сетки. Обычно принимают концепцию постоянства величины напряженности электрического поля. При пропорциональном уменьшении размеров МОПтранзистора улучшаются практически все важные параметры прибора, причем многие из них не в первой, а во второй и даже в третьей степени от величины характерного размера. Однако, как уже не раз отмечалось по разным поводам, неограниченное механическое уменьшение масштабов МОПструктур невозможно по ряду причин принципиального и практического свойства. Поэтому в дальнейшем будет рассмотрено несколько альтернативных направлений развития микроэлектроники, где предлагается использовать принципиально новые подходы.

1.7. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА "РЯДОМ С КРЕМНИЕМ" Отчасти технологии, близкие к "кремниевым", уже были описаны в разделе, посвященном системам долговременного хранения данных. Другая мощная и перспективная ветвь этого направления связана с использованием бинарных полупроводниковых соединений: SiGe, SiC, InSb, GaAs, InP, GaN и более сложных по составу InGaP, InGaAlP и др. К ним примыкают соединения группы 2А6В: ZnS, ZnSe, ZnO, пористый и механически напряженный Si.

Что касается полупроводников типа 3А5В, то они привлекают внимание в первую очередь тем, что характеризуются высокой подвижностью носителей, что автоматически увеличивает быстродействие созданных на их базе приборов. В отличие от непрямозонного монокристаллического кремния на этих прямозонных соединениях легко построить высокоэффективные лазеры и фотоприемники, причем большой выбор базовых соединений и возможность усложнять их состав путем замещения части атомов другими, но из той же группы Периодической таблицы химических элементов Д.И. Менделеева позволяют глубоко варьировать ширину запрещенной зоны и спектральные характеристики приборов.

Наконец, их можно выращивать хорошо освоенными в "кремниевой" технологии методами в виде монокристаллов, тонких пленок, эпитаксиальных гетероструктур, а также создавать ИС посредством планарной технологии. Все это вместе взятое и стимулирует внимание специалистов к "заменителям" кремния. Кратко опишем несколько наиболее значимых примеров существующего и перспективного их применения.

Корпорация Intel, осуществлявшая совместной проект с британской компанией QinetiQ, сообщила в конце 2004 г. о создании СВЧ-транзистора на InSb (рис. 1.11) с очень привлекательными характеристиками (рис. 1.12).

Рис. 1.11. Растровая электронная микрофотография двухзатворного полевого транзистора на InSb, разработанного совместно корпорацией Intel и компанией QinetiQ в конце 2004 г. Расстояние между затворами 200 нм Несмотря на то что опытный образец пока не уменьшен до размеров лучших кремниевых CMOS-транзисторов (длина затвора ~ 10 нм), он уже демонстрирует серьезные преимущества в отношении быстродействия и энергопотребления (см. рис. 1.12, а). Так, при равной частоте среза (предельной частоте усиления) ~ 150 ГГц он рассеивает на порядок меньшую мощность, чем кремниевый. Как видно из приводимых характеристик и общих закономерностей скейлинга, уменьшение длины затвора от достигнутых 200 (см. рис. 1.12, б) до десятков нанометров (что вполне реально и достижимо) даст еще больший выигрыш InSb-транзистора перед кремниевым.

Другое важное направление использования альтернативных полупроводников – создание оптоэлектронных приборов, в первую очередь лазеров, светодиодов, фотоприемников и т.п.

Рис. 1.12. Сравнение характеристик полевых транзисторов Первые твердотельные лазеры на основе GaAs и InP появились около 40 лет назад. Большую роль в их развитии и продвижении на рынок сыграли пионерские работы акад. Ж.И. Алферова (рис. 1.13) с сотрудниками, разделившего в 2000 г. Нобелевскую премию с Г. Кремером. За этот период сменилось несколько поколений полупроводниковых лазеров – от простейших на р-n-переходах (рис. 1.13) и двойных гетероструктурах до приборов, основанных на квантовых колодцах и квантовых точках (рис. 1.14).

Рис. 1.13. Схема устройства инжекционного полупроводникового лазера Они нашли широкое распространение в телекоммуникациях (оптоэлектронные каналы связи), системах записи и хранения данных, бытовой, промышленной и другой электронике. Обычно они работают в ближнем инфракрасном диапазоне ( = 1,3…1,5 мкм), отличаются высоким коэффициентом полезного действия (КПД) преобразования электрической энергии в световую и обладают достаточными для большинства применений надежностью и сроком службы (104…105 ч непрерывной работы).

В течение последних 10 лет рынок их сбыта рос со скоростью %/год. В последние годы интенсивно расширяется производство "голубых" лазеров и ультрафиолетовых сенсоров на основе GaN. Рынок их сбыта в 2003 г. оценивался величиной 2 млрд дол. (прогноз на 2007 г. – 4 млрд дол.).

Рис. 1.14. Эволюция полупроводниковых лазеров от арсенидгаллиевых на p-n-переходах до наноразмерных на квантовых точках. Пороговая плотность тока – минимальная величина, необходимая для компенсации потерь и начала генерации излучения Перспективной задачей для 3А5В соединений является создание интенсивных источников света на их основе. В настоящее время до 20 % вырабатываемой электроэнергии тратится на освещение, которое осуществляется малоэффективными лампами накаливания и люминесцентными светильниками. Замена их в быту, на производстве, автотранспорте полупроводниковыми светодиодами с высоким КПД и большим сроком службы позволит сэкономить большое количество энергии и топлива.

Интересна и обратная задача – выработка электроэнергии с помощью полупроводниковых солнечных батарей. Для того чтобы такая энергетика стала конкурентоспособной в сравнении с традиционной, необходимо достигнуть КПД преобразования солнечного света на уровне 20 %, т.е. иметь удельную мощность ~ 150 Вт/м2 при стоимости батарей 30 дол/м2. Тогда себестоимость вырабатываемой энергии опустится до 3…4 центов за кВт ч и, несмотря на непрогнозируемые дневные вариации выработки и суточные пульсации мощности, она станет привлекательна для большой энергетики. Однако солнечных батарей с такими характеристиками пока не создано, и они не вносят существенного вклада в энергетический баланс больших территорий, хотя давно и успешно используются для питания приборов на Земле и в космосе.

Другая область развития микроэлектроники базируется на различных модификациях SiC, SiGe и напряженного Si. Первые обладают высокой термической стойкостью, а остальные повышенным быстродействием и пониженным потреблением энергии. Однако они не дают таких ярких преимуществ, как 3А5В, хотя и и требуют гораздо меньших инвестиций и усилий для освоения. Сторонники этого направления считают, что совершенствование кремниевых технологий позволит получать необходимые наноэлектронике структуры с шагом 25…30 нм.

Пористый кремний. Как уже отмечалось, кремний в различных модификациях позволяет преобразовывать световую энергию в электрическую, что давно используется в солнечных батареях и фотоприемниках. Но обратный процесс – преобразование электрической энергии в оптическое излучение – в нем крайне неэффективен, поскольку он имеет непрямозонную энергетическую структуру.

Реализовать излучение света при фото- или электрополевом возбуждении в таких полупроводниках можно лишь с помощью третьей частицы – фонона, что резко снижает вероятность процесса. Однако в 1990 г. Л. Кэехэм из Великобритании обнаружил, что в высокопористом кремнии наблюдается фотолюминесценция с квантовым выходом до 10 %. Вскоре было сообщено и об эффективной электролюминесценции из пористого Si. Сам материал получают электрохимическим травлением поверхности монокристаллического кремния в плавиковой кислоте. В зависимости от режимов травления можно получить систему каналов или столбиков диаметром от единиц до тысяч нанометров и глубиной от единиц до сотен микрометров (рис. 1.15).

Рис. 1.15. Высокопористый кремний в виде "щетки" из квантовых нитей, полученных электрохимическим травлением поверхности монокристаллического кремния Пористость при этом можно варьировать от 5 до 95 %. В структурах с высокой пористостью и наноразмерными порами или волокнами удельная поверхность достигает сотен квадратных метров на грамм. По существу, образуется система параллельных квантовых нитей, в результате чего энергетический спектр поверхностного слоя существенно изменяется вследствие квантового размерного эффекта. Продолжительность обработки влияет на характер получаемой приповерхностной структуры и, как следствие, на спектр люминесценции. Его максимум может лежать как в видимой, так и ближней инфракрасной области (рис. 1.16).

Возможность получения излучения красного, зеленого и синего цветов идеально подходит для создания цветных дисплеев, поскольку можно использовать всего один материал и одну технологию. Имея такой материал, можно создавать на поверхности подложки лазерные излучатели (рис.

1.17), фотоприемники и электронные компоненты, т.е. гибридные оптоэлектронные приборы, оставаясь в рамках кремниевой материальной основы и технологии. Помимо этого пористый кремний может использоваться в оптических интерференционных фильтрах, теплозащитных пленках, как буферный слой для металлизации, в сенсорах и других изделиях оптомикроэлектроники.

Рис. 1.16. Спектры фотолюминесценции пористого кремния при пористости, указанной на кривых, % Рис. 1.17. Схема фотодиода на базе пористого кремния Напряженный кремний. Разработки приборов с использованием напряженного (упруго деформированного) кремния начались всего несколько лет тому назад, но компания Intel уже применяет его в своих серийных чипах для увеличения скорости переключения ячеек. Детали технологии пока не раскрывают-ся, однако ясно, что растягивание кристаллической решетки деформирует электронные орбитали ковалентных связей и делает подвижность электронов в зонепроводимости более высокой в этом направлении.

Сжатие, в свою очередь, увеличивает подвижность дырок. Дополнительно наносимые при повышенных температурах слои, имеющие отличные от Si коэффициенты термического расширения, при охлаждении до комнатной температуры создают деформации необходимого знака. Деформация решетки Si всего на 1 % дает увеличение скорости переключения в полевом транзисторе на величину 5…20 %. При этом себестоимость транзистора возрастает лишь на 2 %. Это яркий пример того, как механические факторы могут сильно повлиять на электронные характеристики полупроводника и прибора на его основе.

Далее будут рассмотрены некоторые перспективные направления развития "некремниевой" электроники, которые пока находятся в стадии фундаментальных разработок, сориентированных на создание наноэлектроники следующих поколений.

В зависимости от хиральности, структуры и дефектности углеродные нанотрубки могут иметь самые различные транспортные свойства. Так, электропроводность, имеющая квазиодномерный характер, определяется зонной структурой, рассеянием на примесях и фононах. В бездефектных одностенных трубках с металлической проводимостью при низких температурах возможен баллистический режим переноса заряда, при котором величина проводимости определяется соотношением Ландау где е – заряд электрона; h – постоянная Планка.

Сопротивление такого проводника не зависит от его длины и составляет десятки килоом (в зависимости от числа квантовых состояний для носителей). Это очень удобно для внутричиповых соединений. Такой режим реализуется в случае, когда расстояние между контактами меньше длины свободного пробега, что вполне реалистично для условий применения нанотрубок в качестве соединительных проводников субмикронных длин.

Экспериментально они были неоднократно испытаны в этом качестве и показали прекрасные результаты.

Так, в одной из недавних работ многостенная нанотрубка демонстрировала стойкость в течение 300 ч непрерывной работы при плотности тока j = 2 1010 А/см2 (!!!). Медный проводник в подобных условиях разрушается уже при j 107 А/см2. Для сравнения укажем, что плавкие медные предохранители миллиметрового сечения разрушаются при j 104А/см2. Такая разница обусловлена улучшением условий теплообмена по мере уменьшения поперечного сечения проводника (при его фиксированной длине и прочих равных условиях поверхность теплообмена уменьшается как первая степень характерного поперечного размера R, а мощность джоулева тепловыделения – как R2).

Рис. 1.18. Полевой транзистор на основе углеродной нанотрубки диаметром 1,6 нм и его характеристики Соединение двух одностенных нанотрубок с разной величиной или типом проводимости в одну нанопроволоку образует диод нанометровых размеров. Проще всего реализовать эту ситуацию, соединив трубки с различной хиральностью. Две скрещенные нанотрубки, приводимые в касание (например, механически или электрическим полем), также образуют контакт с вентильными свойствами, совмещенный с переключателем.

Нанотрубки со свойствами полупроводников могут использоваться в полевых транзисторах подобно тому, как в них применяется кремний. Схематически такой экспериментальный транзистор показан в верхней части рис. 1.18, а его характеристики – в нижней. Видно, что приложение к затвору, роль которого играет кремниевая подложка, напряжения от +6 до –2 В меняет величину проводимости канала почти в 105 раз.

За несколько лет совершенствования (впервые возможность создания транзистора на нанотрубке была продемонстрирована в 1998 г.) удалось значительно улучшить характеристики нанотрубчатых полевых транзисторов и приблизить их к таковым у лучших "кремниевых" при намного меньших размерах. На этих принципах (по существу, кремниевых) удалось построить экспериментальные логические приборы и ячейки памяти.

Число идей и практических вариантов использования нанотрубок в наноэлектронике множится с каждым годом. Помимо традиционных подходов применение нанотрубок в электронике предоставляет и уникальные возможности, отсутствующие у кремниевой базы. Так, группой С. Ииджимы – открывателя нанотрубок – в качестве ячейки памяти была предложена короткая, закрытая с двух сторон трубка (Kwon Y., Tomanek D. and Iijima S.

// Phys. Rev. Letter. 1999. Vol. 8. P. 1470), в которую помещена молекула фуллерена С60 (рис. 1.19, а).

Силы Ван-дер-Ваальса между ними нарастают вблизи концов нанотрубки, что приводит к возникновению двухъямного потенциала. Одному крайнему положению молекулы С60 можно приписать логический "0", а другому – логическую "1".

Переключение между этими состояниями можно обеспечить, поместив атом металла в полость молекулы фуллерена. Он ионизуется, и в результате эндоэдральный комплекс приобретает заряд или дипольный момент. Приложение электрического поля вдоль оси трубки приводит к перемещению этого "челнока" из одного крайнего положения в другое, что и обеспечивает управление ячейкой. При отключении поля достигнутое состояние не изменяется, т.е. реализуется долговременная память без энергопотребления.

Группа из Гарвардского университета (Rueckes Th. et al. // Science.

2000. Vol. 289. P. 94) предложила конструкцию запоминающей матрицы, в которой два ряда нанотрубок расположены под углом 90 в параллельных плоскостях, разделенных зазором 1…2 нм (рис. 1.19, б). Такая система также характеризуется двухъямным энергетическим профилем, создаваемым силами упругости трубки и ван-дер-ваальсовыми силами притяжения между ними на малых расстояниях. Приложение разности потенциалов к любому узлу матрицы вызывает изгиб верхней трубки и ее притяжение к нижней. При достаточном напряжении (порядка единиц вольт) происходит касание трубок и сопротивление между ними падает на несколько порядков величины, что легко регистрируется обслуживающей электроникой.

Рис. 1.19. Запоминающие устройства на нанотрубках:

а – с молекулой фуллерена во внутренней полости; б – с локально деформируемыми трубками; в – с изолирующим слоем, содержащим глубокие В правильно рассчитанной конструкции силы Ван-дер-Ваальса продолжают удерживать трубки в контакте и после снятия напряжения, т.е.

реализуется ячейка энергонезависимой памяти. Стирание запомненного бита информации можно обеспечить приложением напряжения к трубкам данного узла в одинаковой полярности. Оценки, сделанные авторами на основе анализа сил и результатов экспериментов, учитывающие модули упругости, необходимые зазоры и прогибы "нанострун", показывают, что возможно создание матриц динамической памяти с размерами ячеек 5 5 нм, плотностью записи ~ 1012 бит/см2 и быстродействием ~ 100 ГГц.

Еще один пример построения запоминающей матрицы на нанотрубках показан на рис. 1.19, в. Верхний слой трубок с металлической проводимостью отделен от нижнего, полупроводникового трехслойным диэлектриком SiO2 – Si3N4 – SiO2. Таким образом, в каждой точке пересечения трубок образуется индивидуальный полевой транзистор. Внутренний слой из нитрида кремния способен захватить инжектированные носители, что сдвигает величину критического напряжения открытия транзистора. Это и положено в основу принципа действия такой памяти, весьма сходного с освоенным в технологии флэш-карт.

Существуют проекты БИС, выполненных целиком из нанотрубок. В них предполагается и проводники, и транзисторы, и ячейки динамической памяти изготавливать из нанотрубок.

Несмотря на то что электроника на нанотрубках обладает вполне приемлемыми электрическими характеристиками и может иметь плотность упаковки, недостижимую в кремниевой технологии, для реальной конкуренции с последней необходим переход от лабораторных образцов к массовой технологии. Отдельные ее элементы уже созданы: существует множество способов выращивания нанотрубок и управления их ростом, сортировки нанотрубок и выстраивания их в заданные конфигурации, подведения контактов и т.п. Однако все это требует еще увязывания и объединения в единый технологический процесс с экономическими характеристиками, не уступающими кремниевой планарной технологии.

Большинство описанных в публикациях устройств на нанотрубках создано в единичных экземплярах в лабораторных условиях ценой больших затрат времени и труда. Их характеристики не отличаются хорошей воспроизводимостью и надежностью. Так что на пути к массовым технологиям необходимо еще преодолеть немало препятствий технического характера.

Для массового использования этих наработок необходимо научиться выращивать трубки с заданными свойствами в больших количествах и простыми способами соединять их в требуемые электрические схемы. Этого можно добиться различными методами: формируя их в намеченных местах на подложке, пришивая к ним функциональные группы и создавая условия для самоорганизации и cамосборки и др.

Среди альтернативных подходов к миниатюризации наиболее революционными в наноэлектронике являются те, которые приближают работу устройства к квантовым пределам, положенным самой Природой: один электрон, один спин, квант магнитного потока, энергии и т.д. Это сулит быстродействие ~ 1012 операций/с), а плотность записи информации ~ ТВ/см2, что на много порядков выше, чем достигнутые сегодня, а энергопотребление – на несколько порядков ниже.

При такой плотности записи в винчестере размерами с наручные часы можно было бы разместить фотографии, отпечатки пальцев, медицинские карты и биографии абсолютно всех (!), до единого (!), жителей Земли.

Действительно, с принципиальной позиции для оперирования в двоичной системе исчисления необходимы элементы, которые способны реализовывать два устойчивых (стабильных во времени и не разрушаемых термическими флуктуациями) состояния, соответствующие "0" и "1", и допускать быстрое переключение между ними. Такие функции может выполнять электрон в двухуровневой системе (например, в двухатомной молекуле). Для этого он должен перейти с одного атома на другой, что реализовало бы заветную мечту – "одноэлектронное" устройство, а впоследствии дало возможность осуществить прорыв в мир "одноэлектроники".

Для сравнения упомянем, что современные электронные средства неэкономно "тратят" сотни – тысячи электронов на одну операцию. Другая возможность заключается в переориентации спина электрона, у которого может быть только два устойчивых состояния в пространстве. На этом принципе основывается совершенно новое направление в науке и нанотехнологиях – спинтроника.

Рис. 1.20. Схематическое изображение спектров различных объектов Большую перспективу применения в наноэлектронике, наносенсорной технике и других областях имеют низкоразмерные квантовые структуры, интенсивно изучаемые физикой в последние несколько десятилетий. Обычно это полупроводниковые или сверхпроводящие объекты с атомарным масштабом в одном, двух или всех трех направлениях. Их свойства могут резко отличаться от объемных для того же материала вследствие яркого проявления квантовых закономерностей поведения.

Физическая причина этих различий заключается в том, что, когда хотя бы один из размеров объекта становится соизмеримым с длиной волны Луи де Бройля для электронов или меньше ее, вдоль этого направления начинается размерное квантование. Различия в энергетической структуре и плотности электронных состояний для нескольких низкоразмерных систем показаны на рис. 1.20.

Хорошо видно, что по мере понижения размерности (т.е. с ростом ограничений на движение электронов), спектр все более дискретизируется и для квантовой точки становится похожим на атомарный.

Различные варианты двух основных технологий получения низкоразмерных структур – молекулярно-лучевой эпитаксии и химического осаждения – дают возможность получения двух- (тонкие пленки), одно- (квантовые проволоки) или нуль-мерных (квантовые точки) образований, которые уже используются и будут использоваться еще шире в электронных и фотонных приборах. Большую роль в получении таких объектов играют также процессы самоорганизации, в которых необходимая структура создается из менее упорядоченной путем самосборки.

В качестве наиболее известного применения низкоразмерных систем можно привести использование квантовых точек для создания лазеров, построенных на гетероструктурах. Квантовые точки имеют перспективы широкого применения в детекторах инфракрасного излучения (в частности, в области длин волн 8…14 мкм, соответствующей максимуму теплового излучения человеческого тела), для создания суперплотной памяти с ячейками, в которые захватывается один или несколько электронов, и др.

Одним из путей радикального обновления принципов и схемотехники в электронике является использование сверхпроводящих (СП) элементов, включающих джозефсоновский переход. Он представляет собой две СПпленки, разделенные тонким слоем (~ 1 нм) диэлектрика. Такие сверхпроводники называют слабосвязанными, а саму сверхпроводимость обозначают как "слабую".

В физических лабораториях к настоящему времени разработано множество джозефсоновских элементов и устройств, имеющих обширные перспективы применения в качестве генераторов и приемников миллиметровых и субмиллиметровых излучений, логических элементов и ячеек памяти, устройств квантового кодирования и передачи данных, высокочувствительных датчиков магнитного слоя, электрического заряда, напряжения, тока, теплового потока и т.д.

Принцип действия таких элементов основан на квантовых закономерностях поведения одного или нескольких джозефсоновских контактов, включенных в обычную электрическую цепь. Электроны в сверхпроводнике ведут себя скоррелированно, в результате чего ток и созданный им магнитный поток квантуются подобно тому, как квантуются электронные орбитали и уровни энергии в отдельном атоме. Из-за этого в кольце, состоящем из двух джозефсоновских контактов, включенных параллельно, может укладываться только целое число длин электронных волн, а внутри такого кольца может существовать не любой магнитный поток, а только кратный целому числу квантов магнитного потока Ф0 = h/2е 2 10–15 Вб.

Это обеспечивает автоматический переход от аналогового способа представления информации к дискретному. Использование слабосвязанных СП-структур позволяет достичь в устройствах квантового кодирования и передачи данных предельно низких уровней шума и энергопотребления при рабочих частотах ~1012 Гц.

Элементы так называемой быстрой одноквантовой логики, в которых единицей информации является квант магнитного потока, дает возможность обрабатывать сигналы с частотами, превышающими 100 ГГц, при крайне низком уровне диссипации энергии. Особенно ценно то, что такая структура является одновременно и логическим элементом, и ячейкой памяти. Поскольку объем передаваемых в сети Интернет данных удваивается каждые 100…120 сут., в ближайшей перспективе даже наиболее современные из разрабатываемых сейчас полупроводниковых приборов не смогут пропускать такие большие потоки. Трехмерные СП-структуры, состоящие из сложенных в стопу джозефсоновских электронных схем, видятся сейчас как практически единственная реальная альтернатива планарным полупроводниковым микросхемам для обработки больших объемов информации.

Освоение новых физических принципов позволяет создавать принципиально новые классы вычислительных систем на основе квантовых низкоразмерных структур. Уже разработаны квантовые алгоритмы вычислений, обеспечивающие решение задач, заведомо не решаемых на традиционных компьютерах, использующих детерминистическую бинарную логику (т.е. управление состоянием классических ячеек "0" и "1"). Квантовый бит (кубит) должен представлять собой квантовую когерентную двухуровневую систему типа объекта, имеющего электронный спин +1/2 или –1/2.

Информация хранится, обрабатывается и передается в такой гипотетической вычислительной машине по квантово-механическим законам в виде волновой функции системы, состоящей из большого числа кубитов. Колоссальное увеличение объема и скорости оперирования информацией в таком устройстве будет обусловлено не просто уменьшением времени одной операции, а максимально возможным в природе распараллеливанием вычислений, лимитируемым только квантовым пределом. Одновременно могут быть решены на новом уровне вопросы кодирования и криптографии. Сейчас идут поиски удобной наноструктуры для реализации кубита. Одновременно развивается несколько подходов к решению этой проблемы.

Наноструктурированная джозефсоновская электроника как нельзя лучше подходит в качестве физической среды для конструирования квантовых компьютеров. На основе двумерных сеток джозефсоновских контактов может быть также создан новый тип компьютерной памяти, строящийся не на базе традиционной логики, а использующий ассоциативную, распределенную по всей структуре память, подобно нейронным сетям живых организмов.

Такая система будет способна распознавать образы, принимать оперативные решения в реальном времени в многофакторных ситуациях (например, в экономике, оборонных задачах, космических исследованиях и т.д.) без механического перебора всех возможных вариантов. Следует отметить, что наряду с горячими сторонниками описанного выше подхода у квантовых вычислений и компьютеров имеются и строгие оппоненты, которые считают эту задачу в принципе нереализуемой.

По-видимому, криогенная электроника не будет конкурировать с традиционной полупроводниковой в существующих уже сейчас областях применения. Ее задача – обеспечить основу для новых поколений суперкомпьютеров и высокопроизводительных опорных телекоммуникационных систем, создание которых было бы коммерчески оправданно, несмотря на затраты, обусловленные необходимостью глубокого охлаждения.

В настоящее время одним из наиболее продвинутых направлений применения СП-структур с джозефсоновскими переходами является конструирование датчиков – регистраторов малых сигналов с чувствительностью вблизи фундаментального квантового предела. Они имеют чувствительность в тысячи – десятки тысяч раз выше, чем традиционные полупроводниковые устройства, и позволяют измерять заряды в тысячные доли электронного (если бы они существовали в природе) и магнитные поля в миллионы раз меньше поля Земли.

Приборы на основе СП-квантовых интерферометров (комбинация переходов Джозефсона), называемых СКВИДами (сверхпроводящее квантовое интерферометрическое устройство), обеспечивают чувствительность в единицы фТл/Гц1/2 и дают возможность создавать усилители с шумовой температурой на частоте 750 МГц, равной 1 К. Такие параметры позволяют использовать их в бесконтактной медицинской диагностике (магнитокардиографы, магнитоэнцефалографы для регистрации деятельности сердца и мозга соответственно). На повестке дня в данный момент создание магнитной томографии, т.е. объемной микроскопии человеческого организма, позволяющей наблюдать функционирование органов, внутриутробное развитие плода в реальном времени.

Еще одно альтернативное направление развития электроники, позволяющее реализовать многие ее функции и одновременно радикально уменьшить размеры отдельных элементов, – использование макромолекул и их фрагментов в электрических цепях. Многие специалисты рассматривают ее как реальный конкурент кремниевой электроники в недалеком будущем.

Существует два подхода к конструированию подобных устройств. В первом между электродами находится большое число молекул, образуя аморфную или поликристаллическую структуру. Электрический контакт с электродами и между отдельными молекулами осуществляется в случайных точках (рис. 1.21, а).

Рис. 1.21. Два класса молекулярных приборов:

а – объемные с хаотическим расположением большого числа молекул;

б – одномолекулярные с подключением электродов к определенным атомам и связям в молекуле; 1 – электрод; 2 – молекула; 3 – межатомная связь;4 – Такие приборы можно назвать объемными многомолекулярными системами. Они уже широко используются при создании жидкокристаллических дисплеев, светодиодных излучателей и матриц на органических молекулах. Ведутся разработки логических компонентов электроники на базе полимерных пленок вместо кремния. Это позволит создавать мягкие, гибкие чипы, которые можно будет легко встраивать в бумагу, ткани, упаковочные материалы.

Во втором, более радикальном подходе предлагается использовать одиночные органические молекулы (рис. 1.21, б) для создания ячеек памяти, логических ключей, излучателей и приемников света, соединительных проводников и других элементов наноэлектроники будущих поколений. В зависимости от природы используемых подводящих электродов выделяют два подкласса приборов: чисто молекулярные (с молекулярными проводниками) и гибридные (с металлическими или полупроводниковыми проводящими мостиками).

Впервые предложения использовать органические молекулы в качестве элементов электроники прозвучали в середине 70-х годов прошлого века.

Однако трудности манипулирования отдельными молекулами и подключения электродов к определенным местам молекулы заставили первоначально ограничиться лишь теоретическим анализом проблемы и компьютерным моделированием конкретных ситуаций. Развитие зондовых методов исследования и манипулирования отдельными атомами и молекулами позволило в конце XX в. приступить к экспериментальным работам.

У макромолекул есть одно бесспорное преимущество перед малоатомными неорганическими кластерами (металлическими, полупроводниковыми): постоянство состава и свойств (для молекул данного вещества).

Как уже упоминалось, характеристики кластеров со свойствами квантовых точек, проволок, ям и т.п. очень чувствительны к числу атомов в них, которое при создании трудно контролировать с точностью до единиц. Это обстоятельство предопределяет полную идентичность и отсутствие разброса параметров молекулярных элементов электроники в отличие от построенных на неорганических малоатомных кластерах.

Ниже будут рассмотрены принципы и несколько конкретных реализаций мономолекулярных электронных компонентов.



Pages:   || 2 | 3 |
Похожие работы:

«РОССИЙСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ МЕДИЦИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Лекции по химии для студентов лечебного, педиатрического, московского и стоматологического факультетов Подготовлено соответствии с ФГОС-3 в рамках реализации Программы развития РНИМУ Кафедра общей и биоорганической химии 1 Часть 2. Органическая химия проф. Ю.И. Бауков, проф. И.Ю. Белавин, проф. В.В. Негребецкий Тема 10 Строение органических соединений, взаимное влияние атомов в их молекулах и их кислотные и основные свойства...»

«РАСПИСАНИЕ - 1-го курса ИМиВТ 2012-2013 уч.г (2 семестр) Специальности: а- электроника и наноэлектроника, б- Инфокоммуникационные технологии и системы связи, с - Конструирование и технология эл. средств Группа (а- Элт)(электроника и ноэлектроника) Группа (б- Ткц) (Инфо. тхн-и и системы связи) Группа (с- КиТЭС) День (Конструирование и технология эл. средств) 1-2 Мат. анализ - лекция Арутюнян К. В. Ауд. № 245 (элт+ткц+ктэ) 3-4 История России – лекция Крбекян Ауд. № - 419 (элт+ткц+ктэ) Физика -...»

«kФ.М. КАНАРЁВ ЛЕКЦИИ АКСИОМЫ ЕДИНСТВА - 4-е издание kanphil@mail.ru http://kubagro.ru/science/prof.php?kanarev или www.kubsau.ru ИСКАТЕЛЯМ НАУЧНЫХ ИСТИН Аннотация Триумфальное развитие точных наук в ХХ веке закончилось. Настала пора подведения итогов. Они оказываются не утешительными. Международное научное сообщество не смогло избежать фундаментальных теоретических ошибок и, как следствие, ошибочной интерпретации многих экспериментальных результатов. Выход из сложившейся ситуации один - возврат...»

«1985 г. Март Том 145, вып. 3 УС HUX И ФЛЗЯЧЕСКИХ НАУК НОБЕЛЕВСКИЕ ЛЕКЦИИ ПО ФИЗИКЕ 1983 ГОДА 524.3:541.136 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ И ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЯДЕРНАЯ АСТРОФИЗИКА, ПОИСКИ ПРОИСХОЖДЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ*) У. А. Фаулер Ad astra per aspera et per ludum 1. ВВЕДЕНИЕ Мы живем на планете Земля, согреваемой лучами ближайшей звезды,, которую мы называем Солнцем. Энергия солнечных лучей определяетсяг реакциями синтеза, в которых ядра водорода превращаются в гелий глубоковнутри Солнца. Эддингтон указал на это в...»

«Истомина О.А. Профессиональная психология моряка. Лекции Особенности лидерства и руководства в морском экипаже Феномен группового лидерства. В английском языке слово leader означает одновременно руководителя, главу, лидера, вождя. Однако для психологии малых групп принципиально важно различение лидера и руководителя (англ. manager – управляющий, заведующий, директор), несмотря на то, что между ними есть определённое сходство. o Общее в лидерстве и руководстве: – лидерство и руководство – это...»

«Библиотека буддийских лекций Тушита 123456 Автор: Досточтимый геше Джампа Тинлей Перевод: Майя Малыгина Расшифровка: Дхарма-центр Тушита Редакция: Дхарма-центр Тушита Общая лекция Лекция прочитана 4 мая 1999 года, г. Уфа Общая лекция 123456 Вначале я буду говорить по-русски, когда речь пойдет о философии буду говорить по-английски, а переводчик будет переводить. Во время общего разговора мне бы хотелось говорить по-русски. С русским языком я соприкасаюсь вот уже шесть лет, именно столько я...»

«Цена Кокосового Ореха Рассказ О.Л. Кинга Цена Кокосового Ореха Рассказ О.Л. Кинга Миссионерская Проповедь 1890-х Предисловие к Переизданию Маленькая книга Цена Кокосового Ореха попала мне в руки несколько лет назад. Эта книга сразу же нашла уютное местечко в моем сердце и стала темой моих размышлений. Всегда осознавая значение незначимого на первый взгляд, я понимал, что это маленькое свидетельство возвещает эту истину. Эта правдивая история рассказывает о великой способности нашего Бога брать...»

«В. И. Арнольд Вещественная алгебраическая геометрия Москва Издательство МЦНМО 2009 УДК 512.7 Издание подготовлено при поддержке Фонда Дмитрия Зимина Династия ББК 22.147 A84 Арнольд В. И. Вещественная алгебраическая геометрия. М.: МЦНМО, A84 2009. 88 с. ISBN 978-5-94057-443-9 Эта брошюра, написанная выдающимся современным математиком академиком РАН В. И. Арнольдом, основана на прочитанных автором популярных лекциях для старшеклассников. В живой и увлекательной форме излагаются основы теории...»

«Негосударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ИНСТИТУТ ГОСУДАРСТВЕННОГО АДМИНИСТРИРОВАНИЯ Кафедра Государственно-правовых дисциплин Направление 030900.62 Юриспруденция ТАМОЖЕННОЕ ПРАВО Лекционный материал Составитель: Иткина В.Ю. Москва 2013 Лекция 1. Введение в курс таможенного права. Основы государственного регулирования внешнеторговой деятельности в РФ. 1. Понятие таможенного права. Предмет и метод правового регулирования 2. Таможенные правоотношений 3....»

«Текст, подготовленный для выступления Новый многосторонний подход для XXI века: лекция имени Ричарда Димблби Кристин Лагард Директор-распорядитель, Международный Валютный Фонд Лондон, 3 февраля 2014 года Добрый вечер! Для меня большая честь быть приглашенной выступить с лекцией имени Димблби в этом году, и я хотела бы поблагодарить Би-Би-Си и семью Димблби за столь любезное приглашение — и особенно Дэвида Димблби за его теплое вступительное слово. Сегодня вечером я хотела бы поговорить о...»

«ЛЕКЦИЯ 1А Свойства измеримых множеств. Примеры вычисления меры. Отношение эквивалентности 0. Тождества теории множеств (продолжение) Обсудим ещё некоторые утверждения теории множеств. Пусть,. Тогда = ( ), (1) = ( ) ( ), (2) ( ) =. (3) Также нам понадобится, что ( ) ( ). = (4) Докажем для примера формулы (1) и (4). Имеем для (1): если, это означает, что (и, тем самым, ), но. Следовательно, и, откуда / следует вложение = ( ). Для доказательства обратного вложения заметим, что при ( ) имеем,...»

«Язык, сознание, коммуникация: Сб. научных статей, посвященный памяти заслуженного профессора МГУ Александры Гигорьевны Широковой / Ред. колл.: В. В. Красных, А. И. Изотов, В. Г. Кульпина. – М.: МАКС Пресс, 2009. – Вып. 38. – 200 с. ISBN 978-5-317-02898-5 „Тут жил Кирилл, а там – Мефодий.“, или Чехи под Новороссийском © кандидат филологических наук С.С. Скорвид, И.В. Третьякова 2009 Начиная с 1978 года, во всяком случае на памяти первого из авторов нижеследующих заметок, тогда студента III курса...»

«Гамильтонова механика НОЦ МИАН (весна 2006) Д.В.Трещев Аннотация. Одной из наиболее известных попыток придать стандартному университетскому курсу классической механики современную форму является курс В. И. Арнольда, позднее появившийся в виде учебника [1]. Предлагаемые лекции ориентированы на аналогичные задачи с поправками на приоритеты и вкусы автора. Впрочем, данный курс охватывает лишь некоторые избранные вопросы теории гамильтоновых систем и может рассматриваться лишь как добавочный...»

«александр бренер варвара паника РИМСКИЕ ОТКРОВЕНИЯ москва гилея 2011 Обложка Александра Бренера и Барбары Шурц © Правительство Поэтов ISBN 978-5-87987-061-9 Dum colosseum stabit, Roma stabit; dum Roma stabit, mundus stabit. Римская поговорка Anyone can create the future, but only a wise man can create the past. Владимир Набоков. “Bend Sinister” 1-е откровение: жижек Мы истосковались по мудрости. Поэтому мы пошли на лекцию философа Джорджио Агамбена. Это было несколько лет назад в Любляне, в...»

«2 Цель и задачи дисциплины. 1. Цель курса - дать студенту теоретические знания и практические навыки по акушерству, гинекологии и биотехнике размножении сельскохозяйственных животных в объеме, необходимые в практике ветеринарного врача. 2. Задача дисциплины - научить будущих ветеринарных врачей клиническим и лабораторным методам исследований для проведения акушерско-гинекологической диспансеризации маточного поголовья на фермах и комплексах, технологии искусственного осеменения...»

«Лекция 5. Пространства основных и обобщенных функций. Корпусов Максим Олегович, Панин Александр Анатольевич Курс лекций по линейному функциональному анализу 27 марта 2012 г. Корпусов Максим Олегович, Панин Александр АнатольевичЛекция 5 Обозначения Символом || будем обозначать длину мультииндекса : || |1 | + |2 | + · · · + |N |. Символом k k обозначаем частную производную порядка k Z+ по переменной xk R1, x = (x1, x2,., xN ) RN. Символом будем обозначать следующее выражение: 1 1 2 2 · · ·...»

«Публичная лекция Тимошенко В.И. Нелинейная акустика – ветвь инновационных технологий Рассматриваются физические основы проявления и использования нелинейных акустических эффектов в инновационных технологиях в гидроакустике, морской инженерии, в технологических процессах с тепло- и массопереносом, в океанологии и биомедицине В ТРТИ – ТРТУ, теперь ТТИ ЮФУ, в течение нескольких десятков лет в перечне основных научных направлений была нелинейная акустика, точнее нелинейная гидроакустика. Мне...»

«ЖЕСТОКИЙ ТАЛАНТ (Полное собрание сочинений Ф. М. Достоевского. Томы II и III. СПб. (1882) Человек — деспот от природы и любит быть мучителем. Достоевский (Игрок) Тирания есть привычка, обращающаяся в потребность. Достоевский (Дядюшкин сон) Я до того дошел, что иногда теперь думаю, что любовь-то и заключается в добровольно дарованном от любимого предмета праве над ним тиранствовать. Достоевский (Записки из подполья) Странная вещь, эта дружба! Положительно могу сказать, что я на девять десятых...»

«О замечательном политике и общественном деятеле К. Ф. Затулине У нас сегодня очередная лекция из цикла Университетские встречи. Как вы знаете, это встречи с выдающимися современниками. Сегодня у нас в гостях депутат, первый заместитель председателя Комитета Государственной Думы по делам СНГ и связям с соотечественниками, директор Института стран СНГ Константин Федорович Затулин. Константин Федорович родился 7 сентября 1958 года в городе Батуми Аджарской Автономной Советской Социалистической...»

«ЛЕКЦИЯ 1 ЧТО ТАКОЕ ПОВЕДЕНИЕ ОРГАНИЗАЦИЙ Организация – это объединение людей, совместно реализующих общую цель и действующих на основе определенных правил и процедур. Организация – это прежде всего жизнеспособная система. Она выживает, сохраняя свою идентичность. Она гомеостатична. Гомеостаз – это способность поддерживать свои важнейшие переменные в допустимых пределах при возникновении неожиданных изменений, нарушений и осложнений. То есть организации автостабильны. Они противодействуют...»









 
2014 www.konferenciya.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Конференции, лекции»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.